[发明专利]一种与电源无关的电流参考源

权利要求书

1.一种与电源无关的电流参考源，其特征在于：用于产生一种与电源无关的 电流参考源，其电路结构为：

至少包括一个电阻Rs和四个场效应管M1、M2、M3、M4形成的镜像电路， 所述M1、M2为NMOS管，M3、M4为PMOS管；所述M3镜像的电流到M4， M3、M4的源极连接电源，M3、M4的漏极分别与M2、M1的漏极连接，M1的 漏极、栅极与M2的栅极相连接，形成镜像的结构；

M1的源极接地，M2的源极连接电阻Rs，Rs另一端连接地；

所述镜像电路外还设置有一条镜像的电流支路，由至少一个场效应管M5组 成，由M3将电流镜像到M5，M5为PMOS管；M5的源极连接电源，M5的栅极 与M3、M4的栅极连接，M5的漏极连接到M2的源极，该支路的电流流入电阻 RS。

2.根据权利要求1所述的一种与电源无关的电流参考源，其特征在于：M3 的电流镜像到M5，把镜像放大了M倍的电流注入电阻Rs，因此电流表达式为： Iout=2μnCox(W/L)N*1[(1+M)Rs]2*(1-1K)2,]]>其中M的取值根据电流表达式中的各 个参数匹配选取，μ_n是NMOS管的迁移率，C_ox是单位面积的栅氧层电容值，W 是MOS场效应管的宽度，L是MOS场效应管的长度，N表示W/L是NMOS管的 宽长比，M是M2/M1的比例系数，K是M5/M3的比例系数。