[发明专利]一种二元交替掺杂BST薄膜的制备方法无效
申请号: | 200910216406.2 | 申请日: | 2009-11-27 |
公开(公告)号: | CN101716838A | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
发明(设计)人: | 廖家轩;贾宇明;魏雄邦;田忠;傅向军;张佳 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | B32B9/04 | 分类号: | B32B9/04;B82B3/00;C04B35/465;C04B35/22;C04B41/52 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二元 交替 掺杂 bst 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种二元交替掺杂BST薄膜的制备方法,包括以下步骤:
步骤1:制备掺Mn的BST溶胶和掺Y的BST溶胶,具体包括以下步骤:
步骤1-1:将摩尔比为Ba∶Sr=x∶(1-x)的可溶于冰醋酸的无机钡盐和无机锶盐溶于冰醋酸 中,于60~80℃温度条件下搅拌60~120分钟形成钡锶前驱液,其中0<x<1;
步骤1-2:将摩尔比为1∶2的钛酸丁酯与乙酰丙酮混合加热并搅拌60~120分钟形成钛前驱 液;
步骤1-3:将可溶于冰醋酸的无机锰盐溶于冰醋酸中,于60~80℃温度条件下搅拌60~120 分钟形成锰前驱液;
步骤1-4:将可溶于冰醋酸的无机钇盐溶于冰醋酸中,于60~80℃温度条件下搅拌60~120 分钟形成钇前驱液;
步骤1-5:将步骤1-1所得的钡锶前驱液、步骤1-2所得的钛前驱液和步骤1-3所得的锰前驱 液混合,其中钡锶前驱液中Ba和Sr的摩尔量之和、钛前驱液中Ti摩尔量和锰前驱液中Mn摩尔 量三者之间的摩尔比为1∶(1~1.2)∶(0.005~0.05);然后在混合前驱液中滴加相当于Ti摩尔量 0.5%~1%的聚乙烯吡咯烷酮,调节混合前驱液PH值在3~4之间;再在60~80℃温度条件下搅拌 60~120分钟;最后用乙二醇甲醚定容得到0.2~0.4摩尔/升稳定的掺Mn的BST溶胶;
步骤1-6:将步骤1-1所得的钡锶前驱液、步骤1-2所得的钛前驱液和步骤1-4所得的钇前驱 液混合,其中钡锶前驱液中Ba和Sr的摩尔量之和、钛前驱液中Ti摩尔量和钇前驱液中Y摩尔量 三者之间的摩尔比为1∶(1~1.2)∶(0.005~0.05);然后在混合前驱液中滴加相当于Ti摩尔量 0.5%~1%的聚乙烯吡咯烷酮,调节混合前驱液PH值在3~4之间;再在60~80℃温度条件下搅拌 60~120分钟;最后用乙二醇甲醚定容得到0.2~0.4摩尔/升稳定的掺Y的BST溶胶;
步骤2:制备单层掺Mn的BST薄膜,具体包括以下步骤:
步骤2-1:采用步骤1-5所得掺Mn的BST溶胶和匀胶设备,经涂胶、匀胶后在衬垫基片上 形成单层掺Mn的BST湿膜;
步骤2-2:BST湿膜经干燥、热解后除去BST湿膜中的水分和大部分有机物;
步骤2-3:380~550℃的温度条件下预晶化10~20分钟,以进一步除去BST薄膜中的有机物 并形成仔晶层;
步骤2-4:自然冷却得到单层掺Mn的BST预晶化薄膜;
步骤2-5:在600~700℃的温度条件下晶化60~120分钟得到单层掺Mn的BST薄膜;
步骤3:在单层掺Mn的BST薄膜表面制备单层掺Y的BST薄膜,具体包括以下步骤:
步骤3-1:采用步骤1-6所得掺Y的BST溶胶和匀胶设备,经涂胶、匀胶后在单层掺Mn的 BST薄膜表面形成单层掺Y的BST湿膜;
步骤3-2:BST湿膜经干燥、热解后除去BST湿膜中的水分和大部分有机物;
步骤3-3:380~550℃的温度条件下预晶化10~20分钟,以进一步除去BST薄膜中的有机物 并形成仔晶层;
步骤3-4:自然冷却得到单层掺Y的BST预晶化薄膜;
步骤3-5:在600~700℃的温度条件下晶化60~120分钟得到单层掺Y的BST薄膜;
步骤4:以步骤3-5所得的单层掺Y的BST薄膜为衬底基片,重复步骤2和步骤3多次,得到 多层Mn、Y二元交替掺杂的BST薄膜。
2.根据权利要求1所述的二元交替掺杂BST薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1-1中所 述可溶于冰醋酸的无机钡盐具体采用醋酸钡、硝酸钡或碳酸钡;所述可溶于冰醋酸的无机锶 盐具体采用醋酸锶、硝酸锶或碳酸锶。
3.根据权利要求1所述的二元交替掺杂BST薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1-2中所 述可溶于冰醋酸的无机锰盐具体采用醋酸锰、硝酸锰或碳酸锰
4.根据权利要求1所述的二元交替掺杂BST薄膜的制备方法,其特征在于,步骤1-3中所 述可溶于冰醋酸的无机钇盐具体可采用醋酸钇、硝酸钇或碳酸钇。
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