[发明专利]液晶显示面板及液晶显示装置有效
申请号: | 200910216806.3 | 申请日: | 2009-12-31 |
公开(公告)号: | CN101738802A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 乔艳冰;钟德镇;简廷宪 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/133 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明;王宝筠 |
地址: | 215301*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管液晶显示(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)领域,特别涉及一种多区域垂直配向(Vertical Alignment, VA)式液晶显示面板及其液晶显示装置。
背景技术
液晶显示器(LCD)作为一种平板显示器,具有图像清晰精确、厚度薄、重 量轻、无辐射、低能耗和工作电压低等诸多优点,目前已被广泛的应用在各 个领域中。通常,液晶显示器具有两个含有电极的基板,以及设置在两基板 之间的液晶层,通过两基板上的电极控制施加到该液晶层的电场强度来控制 液晶分子的偏转,进而调整入射光的透射率,以实现对显示像素亮与暗的控 制。
然而,液晶显示器自身也面临着一些有待解决的技术问题,例如广视角 (Wide Viewing Angle)问题,也即,使用者在屏幕的正前方与斜前方两种不同 的视角观看液晶显示器中的图像,其所看到的图像灰阶与亮度并不相同,通 常在正前方所看到的图像亮度会大于斜前方所看到的图像亮度,这种差异将 影响使用者在斜前方(即具有较大视角位置)的观看效果。
目前,业内已经开发了多种技术来解决上述广视角的问题。例如,采用 介电异向性为负的负型液晶材料代替传统的液晶材料,在液晶显示面板的两 基板之间构成垂直配向(Vertical Alignment,VA)的液晶层,这种结构的液晶 显示面板在未施加电压时,液晶分子即以垂直于基板的方式排列,故可提供 良好的对比度。
请参见图1及图2所示,图1是一种现有多区域垂直配向(Multi-Domain Vertical Alignment,MVA)式液晶显示面板的一像素结构示意图;图2是沿图1 中A-A’线的截面图,由图2可以示出液晶显示面板主要包括位于下层的薄膜 晶体管阵列基板、位于上层的彩色滤光片基板80以及夹于二者之间的液晶分 子70,其中,彩色滤光片基板上具有公共电极81。如图1,相邻两根扫描线 10和相邻两根数据线20交叉的区域为像素区域,图1所示像素电极又分为两 个次像素电极30、40,此类多区域垂直配向式液晶显示面板通常于薄膜晶体 管阵列基板上配置间隙(slit)60和于彩色滤光片基板80上配置凸起物 (bump)50,从而使得液晶分子70在未施加电压时即具有朝不同方向倾斜的预 倾角,以有效迅速地控制施加电压后的液晶分子的倾斜方向,当施加电压后, 液晶层即可分割为多个分别具有不同倾斜方向的液晶微域,以有效改善不同 观察角度的灰阶显示状态下的视角特性。然而,在彩色滤光片基板80上设置 凸起物50一般会引起漏光使得液晶显示面板的对比度下降,况且其需要在彩 色滤光片基板上增加一道光刻工艺而使得制程复杂,成本较高。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的以上问题而提出了一种液晶显示面板,其 包括:相对设置的第一基板和第二基板,以及夹于所述第一基板和第二基板 之间的液晶层,其中,所述第一基板包括:
多条扫描线以及与所述多条扫描线交叉排列的多条数据线;
由所述多条扫描线和多条数据线限定的多个像素区域,每个像素区域由 相邻两条扫描线与相邻两条数据线相互交叉形成,其中,所述像素区域至少 包括:
第一子像素电极和第二子像素电极;
第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;
所述第一薄膜晶体管的漏极电性连接所述第一子像素电极,所述第二薄 膜晶体管的漏极电性连接所述第二子像素电极;所述第一子像素电极与所述 第二子像素电极之间具有在像素区域内呈45°和/或135°排列的间隙;所述 第一子像素电极和所述第二子像素电极电性隔离并且互相嵌套,其中,所述 第一子像素电极具有至少一延伸入所述第二子像素电极内的嵌套区域,所述 第二子像素电极具有至少一延伸入所述第一子像素电极内的嵌套区域,当液 晶显示面板工作时,所述第一子像素电极和所述第二子像素电极极性相反, 所述第一子像素电极和所述第二子像素电极之间形成边缘电场效应。
其中,所述第一基板上具有第一金属层和所述第一金属层之上的第二金 属层,所述像素区域还包括第一存储电容和第二存储电容;
所述第一存储电容的第一极由第一金属层形成,第一存储电容的第二极 由第一子像素电极和通过过孔与第一子像素电极电性连接的部分第二金属层 形成;
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