[发明专利]交换耦合型纳米点的制备方法

权利要求书

1.一种交换耦合型纳米点的制备方法，其特征在于：该制备方法包括以下步骤：

①、衬底的制备，采用自组装技术制备单层呈六角密堆的胶体阵列球面衬底；

②、双层膜沉积，采用溅射技术向①中制得的胶体阵列球面衬底上沉积FeNi/NiO双层膜，使得小球间隙的薄膜厚度仅为小球顶部薄膜厚度的2/3，从而获得具有交换偏置作用的交换耦合型纳米点纳。

2.根据权利要求1所述的一种交换耦合型纳米点的制备方法，其特征在于：所述胶体阵列球面衬底上沉积薄膜时，薄膜的厚度沿球面逐渐减小，其厚度关系式为t＝t₀sinθ。

3.根据权利要求1所述的一种交换耦合型纳米点的制备方法，其特征在于：所述FeNi/NiO双层膜存在产生交换偏置效应的临界厚度t_c，当薄膜厚度小于该临界厚度t_c时，该双层膜不表现交换偏置效应；当薄膜厚度大于t_c时，厚度大于t_c的部分薄膜具有交换偏置效应。

4.根据权利要求1所述的一种交换耦合型纳米点的制备方法，其特征在于：所述向密堆排列单层胶体球阵列衬底上沉积薄膜时，阴影效应使得小球间隙的薄膜厚度仅为小球顶部薄膜厚度的2/3，穿过小球间隙沉积到衬底上的薄膜，由于厚度被削减了1/3而不具有交换偏置作用。

5.根据权利要求1所述的一种交换耦合型纳米点的制备方法，其特征在于：所述沉积FeNi/NiO双层膜薄膜厚度被控制为25～35nm，产生交换偏置效应的临界厚度t_c为23nm。