[发明专利]一种非晶硅太阳能电池的激光划刻工艺无效
申请号: | 200910218149.6 | 申请日: | 2009-12-17 |
公开(公告)号: | CN102104022A | 公开(公告)日: | 2011-06-22 |
发明(设计)人: | 杨继泽;刘万学;张兵;王德宏;王巍;强艳建;钟福建;赵松雪 | 申请(专利权)人: | 吉林庆达新能源电力股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L31/20 |
代理公司: | 吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司 22204 | 代理人: | 石岱 |
地址: | 136000 *** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 非晶硅 太阳能电池 激光 刻工 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池生产领域,具体的说是一种非晶硅太阳能电池的激光划刻工艺。
背景技术
在非晶硅太阳能电池生产中,激光划刻是一步很重要的工艺步骤,而在现有激光设备中,划刻宽度不一,使太阳能电池的结构不够稳定,严重影响电池的转换效率。
发明内容
本发明的目的是要提供一种结构简单合理,激光划刻工艺简单,效果好,太阳能电池的结构稳定,电池的转换效率高的非晶硅太阳能电池的激光划刻工艺。
本发明的目的是这样实现的,该激光划刻工艺的具体步骤如下:
首先在钢化玻璃上溅镀一层TCO膜,通过激光划刻设备对TCO膜划刻一道沟槽,沟槽划刻宽度为40-50微米,深度为TCO膜的厚度;然后在TCO膜表面沉积一层PIN膜,再采用激光划刻设备对PIN膜划刻一道沟槽,沟槽划刻的宽度为50-80微米,深度为PIN膜的厚度;再在PIN膜表面沉积Al导电膜,最后通过激光划刻设备对Al导电膜划刻一道沟槽,沟槽划刻的宽度一般为50-60微米,深度为Al导电膜的厚度。
本发明还具有结构简单合理,激光划刻工艺简单,效果好,太阳能电池的结构稳定,电池的转换效率高等优点。
附图说明
图1为本非晶硅太阳能电池的激光划刻排列结构示意图。
图2为本发明图1中A部位结构放大示意图。
图3为本发明局部放大侧视结构示意图。
具体实施方式
由附图所示:该激光划刻工艺的具体步骤如下:
首先在钢化玻璃1上溅镀一层TCO膜2,通过激光划刻设备对TCO膜2划刻一道沟槽5,沟槽5划刻宽度为40-50微米,深度为TCO膜2的厚度;然后在TCO膜2表面沉积一层PIN膜3,再采用激光划刻设备对PIN膜3划刻一道沟槽6,沟槽6划刻的宽度为50-80微米,深度为PIN膜3的厚度;再在PIN膜3表面沉积Al导电膜4,最后通过激光划刻设备对Al导电膜4划刻一道沟槽7,沟槽7划刻的宽度一般为50-60微米,深度为Al导电膜4的厚度。
沉积时沟槽6内镶嵌有Al导电膜4,沟槽5内镶嵌有PIN膜3。
本发明通过上述工艺过程划刻完成以后,在三个沟槽5、6、7上形成电池结构,在太阳光的照射下,该结构则开始发电,形成一个导电结构,使PIN层发的电被传送过去,由于激光划刻的好坏直接决定着电池性能的好坏,所以使用本发明所述的工艺过程,可使电池的性能达到最优。
在附图1中,其上的划刻线的数量为横向排列80-100条。
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