[发明专利]一种含铋的闪铋矿硅酸铋晶体的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910218898.9 申请日: 2009-11-10
公开(公告)号: CN101709508A 公开(公告)日: 2010-05-19
发明(设计)人: 郭宏伟;王秀峰;杨新平;郭晓琛;高档妮;田鹏 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C30B29/34 分类号: C30B29/34
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710021 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 闪铋矿 硅酸 晶体 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种含铋的硅酸盐晶体的制备方法,特别涉及一种含铋的闪铋矿Bi4SiO12硅酸铋晶体的制备方法。

背景技术

寻找新功能晶体是国际晶体材料科学的前沿,而新功能晶体的预测、原料制备、析晶行为、晶体生长等方面的研究是新功能晶体研究的基础。近年来发现Bi2O3-SiO2系统是很有进一步研究价值的系统。由于元素Si和Ge在化学元素周期表中属同一主族,性质相似,因此Bi2O3-SiO2系统和Bi2O3-GeO2系统在结构和性能上有学多相似之处。目前对Bi2O3-GeO2系统的研究已经较为成熟,而对Bi2O3-SiO2系统的研究显得不足(费一汀,无机材料学报,1997,12:469~476)。在该系统中发现的化合物晶相有6:1、1:1及2:3等相,已查明Bi12SiO20晶体具有电光、光电导、光折变、压电、声光、旋光等性能,Bi4Si3O12晶体具有电光、闪烁等性能。但是,除了对Bi12SiO20组成附近的相关系及其晶体的生长、性质、应用等方面有较详细的研究外,该系统大部分区域基本上缺乏细致而深入地研究,一个原因在于该系统组成中其它晶体难于合成,且合成过程中易于产生杂相,这对所制备的单晶性能影响较大,因此制备高纯度的晶体原料是制备高品质透明单晶体的基础。

Bi4Si3O12是一种新型闪烁晶体,以其良好的机械和化学稳定性、优良的光电、热释光等成为闪烁体Bi4Ge3O12的最佳替代品之一。尽管人们认识闪铋矿(Bi4Si3O12)已经有170多年了,但直到1971年Philipsborn等人(Philipsborn H V.J.Crystal Growth,1971,11:348)才利用提拉法生长出它的单晶,近年来,中国科学院上海硅酸盐所利用坩埚下降法也长出了单晶(Fan Shiji,et al.The Eleventh Inter-national Conference onCrystal Growth,Advance Program,1995.30)。

Bi4Si3O12晶体属于立方晶系,I43d空间群,Z=4。其结构可以看成由[SiO4]四面体和[BiO6]八面体构成。Bi4Si3O12晶体在可见光以及近红外范围内都是透明的。

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