[发明专利]利用表面发射型电子源的平板显示装置无效

专利信息
申请号: 200910218905.5 申请日: 2009-11-10
公开(公告)号: CN101728186A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 胡文波;郑宇;刘纯亮;吴胜利;高燕龙 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01J31/12 分类号: H01J31/12;H01J29/02;G09G3/30
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 利用 表面 发射 电子 平板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种利用表面发射型电子源的平板显示装置,包括由玻璃材料制成的前基板(1)和后基板(2),其特征在于:所述前基板(1)或后基板(2)上设置有能产生表面电子发射的电子源;所述前基板(1)和后基板(2)中至少一个涂覆有荧光粉层(4);所述电子源由上电极(7)、绝缘膜(6)和下电极(5)构成;所述下电极(5)平铺在后基板(2)表面,绝缘膜(6)平铺在下电极(5)表面,上电极(7)平铺在绝缘膜(6)表面;所述上电极(7)与下电极(5)各包括多条平行的条状电极,上电极(7)与下电极(5)成正交排列,在上电极(7)和下电极(5)的每一个交叉点处形成一个由电子源及荧光粉层组成的显示单元,相邻显示单元之间设置有障壁(8);所述障壁(8)的侧壁上涂覆有荧光粉层(4)。

2.如权利要求1所述一种利用表面发射型电子源的平板显示装置,其特征在于:所述前基板(1)和后基板(2)之间充有惰性气体,电子源置于惰性气体中。

3.如权利要求1所述一种利用表面发射型电子源的平板显示装置,其特征在于:所述绝缘膜(6)连续铺放在下电极(5)表面,或只铺放在上电极(7)与下电极(5)交叉点处的下电极(5)表面。

4.如权利要求1所述一种利用表面发射型电子源的平板显示装置,其特征在于:所述绝缘膜(6)材料从三氧化二铝、二氧化硅、氧化镁、五氧化二钽、氮化硅、二氧化铪和氧化锆中选择,膜厚为3-500nm。

5.如权利要求1所述一种利用表面发射型电子源的平板显示装置,其特征在于:所述绝缘膜(6)具有多晶或非晶结构。

6.如权利要求1所述一种利用表面发射型电子源的平板显示装置,其特征在于:所述上电极(7)和绝缘膜(6)之间设置有半导体膜(9);所述电子源由上电极(7)、半导体膜(9)、绝缘膜(6)和下电极(5)构成。

7.如权利要求6所述一种利用表面发射型电子源的平板显示装置,其特征在于:所述半导体膜(9)材料从硫化锌、氧化锌、氧化镁锌、硫化镁、硫化镉、硒化锌、硒化镉中选择,膜厚为3-100nm。

8.如权利要求6所述一种利用表面发射型电子源的平板显示装置,其特征在于:所述半导体膜(9)连续铺放在绝缘膜(6)表面,或只铺放在上电极(7)与下电极(5)交叉点处的绝缘膜(6)表面。

9.如权利要求1所述一种利用表面发射型电子源的平板显示装置,其特征在于:所述下电极(5)选用Al、W、Cr、Ni、Mo等材料制作,上电极(7)选用Au、Pt、Ir等材料制作。

10.如权利要求1和6所述一种利用表面发射型电子源的平板显示装置,其特征在于:所述显示单元采用由薄膜晶体管构成的矩阵来驱动。

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