[发明专利]平面式排布的PN结阵列器件有效
申请号: | 200910219189.2 | 申请日: | 2009-11-27 |
公开(公告)号: | CN101707220B | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 牟强;王秀峰;袁桃利 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L33/48 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710021 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平面 排布 pn 阵列 器件 | ||
技术领域
本发明属于光电、电光转换应用领域,具体涉及一种平面式排布的PN结阵列器件。
背景技术
太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。也是清洁能源,不产生任何的环境污染。在太阳能的有效利用当中;太阳能光电利用是近些年来发展最快,最具活力的研究领域,是其中最受瞩目的项目之一。此外,在发光与显示方面,人们也在不断的追求低功耗高亮度的新型光源与显示器。
发明内容
本发明的目的在于提供一种平面式排布的PN结阵列器件,该器件能够减少材料使用量,提高光电、电光转换效率,便于大规模集成。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:包括基板和封装件组合而成的真空腔,在位于真空腔内的基板表面依次制备有绝缘层间隔的阵列,每个阵列都含有金属阳极和金属阴极,在金属阳极与阴极之间之间设置有由N型半导体材料和P型半导体材料构成的PN结,金属阳极、绝缘层、金属阴极、N型半导体材料、P型半导体材料采用气相沉积、掩模技术或扩散技术制备在基板表面。
本发明的基板采用玻璃基板、塑料基板或散热好的金属基板;封装件采用的是透明玻璃或增透膜;N型半导体材料和P型半导体材料采用是的半导体薄片。
本发明与传统经典结构不同,是光电池受光面垂直于PN结,N型和P型半导体同时受光。由于光吸收在半导体表面完成,所以传统的器件,载流子要沿着PN结方向向内部扩散,造成损耗,本发明所述器件,虽然载流子运动方向未变,但多数光生载流子在表面进行,损耗减少。由于结构的不同和光生载流子产生效率提高,可大幅降低材料的使用数量,而且更有利于电池单元的集成。
附图说明
图1是本发明的整体结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细说明。
参见图1,本发明包括基板7和封装件8组合而成的真空腔,基板7采用玻璃基板、塑料基板或散热好的金属基板,封装件8采用的是透明玻璃或增透膜,在位于真空腔内的基板7表面依次制备有绝缘层6间隔的阵列,每个阵列都含有金属阳极5和金属阴极1,在金属阳极5与阴极之间1之间设置有由N型半导体材料2和P型半导体材料4构成的PN结3。金属阳极5、绝缘层6、金属阴极1、N型半导体材料2、P型半导体材料4采用气相沉积、掩模技术或扩散技术制备在基板7表面。N型半导体材料2和P型半导体材料4还可采用半导体薄片。N型半导体材料2和P型半导体材料4的掺杂情况视实际应用的器件类型而确定。
本发明为一种平面式阵列排布的结型器件,主要由结型半导体、阴极、阳极三大部分组成;其原理是:结型器件接收光通量Φ的照射,当光子波长λ满足:λ≤1.34/Eg(μm)时,其中Eg为N型或P型半导体的禁带宽度,在半导体内部产生一定强度的载流子流i=SФ,其中S为材料的光响应度,Φ为光通量,当外部回路接通,这就是光生电流。发光过程与此相反。当然,为适应相应的用途,半导体的掺杂情况不同。
本发明可以设计成为光伏电池,也可以设计应用于平面光源和显示器件,由于结构特点,它比传统的结型器件更省材料,作为光伏电池,它可提高对光能的利用率,作为光源它可以减少光能耗,提高发光效率。本发明还可用于结效应工作的半导体发光二极管,光线沿垂直PN结方向出射,减少了半导体对光的吸收和反射;由于结构特点,本器件有利于散热设计,可制成平面光源,如果集成了三基色点阵单元,还可实现彩色显示。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的