[发明专利]一种氮化钛多孔陶瓷及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910219329.6 申请日: 2009-12-04
公开(公告)号: CN101734920A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 杨建锋;鲁元;陆伟忠;刘荣臻;乔冠军;金志浩;鲍崇高 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58;C04B38/00;C04B35/622
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 朱海临
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 氮化 多孔 陶瓷 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种多孔陶瓷及其制备方法,特别涉及一种氮化钛多孔陶瓷 及其制备方法。

背景技术

氮化钛是一种重要的功能结构一体化的工程材料,具有较高的导热性和 超导性;同时,它又有熔点高,硬度大,密度小,摩擦系数小等特性,目前 氮化钛多孔陶瓷已成为一种有广泛用途的结构陶瓷,可用于热阻材料和超导 材料等电子器件,以及金属基复合材料的增强相中。现有的氮化钛多孔陶瓷 材料的制备方法主要是直接氮化法,用金属钛粉末为主要起始原料先制作多 孔成型体,再放在氮气中进行氮化反应制造氮化钛多孔陶瓷。金属钛氮化的 反应式为Ti+N→TiN。该方法的缺点是由于氮化钛的扩散系数太低,而且金 属钛粉末氮化过程中,表面会产生氮化钛薄膜严重阻碍金属钛粉末内部的氮 化过程,导致金属钛粉末不能完全氮化。有研究发现采用特殊处理过的钛粉 末进行氮化反应,可以完全氮化。但是钛粉末需要特殊处理,增加了制备成 本。所以直接氮化法生产工艺复杂,成本过高,制备的氮化钛多孔陶瓷纯度 不高,不利于工业化生产。有关直接氮化法制备氮化钛多孔陶瓷可参见 Pivkina A.Reaction-Bonded Titanium Nitride Ceramics.Journal of the European Ceramic Society,1956,16:3542。

发明内容

本发明的目的是改进现有氮化钛多孔陶瓷制备方法所存在的缺陷,提供 一种利用碳热还原法制备氮化钛多孔陶瓷的新工艺,具有产品性能优异、生 产工艺简单,制备成本低的优点。

为达到以上目的,本发明是采取如下技术方案予以实现的:

一种氮化钛多孔陶瓷,按质量百分比,包括下述组分:氧化钛65~72%、 烧结助剂1~10%、碳黑18~23%、氮化钛晶种1~10%,其中烧结助剂选 自IIa族氧化物、IIIa族氧化物、稀土元素氧化物或碳化物的任一种。

以上方案中,所述氧化钛与碳黑的质量比值为3~4。所述氧化钛,其TiO2含量>95%重量,平均粒径在1.2~2μm。所述氮化钛晶种,其TiN含量>95% 重量,粒径d50小于5μm。所述碳黑,其C含量>95%,粒径d50小于80nm。

前述氮化钛多孔陶瓷的制备方法,包括下述步骤:

(1)按重量百分数:氧化钛65~72%、烧结助剂1~10%、碳黑18~ 23%、氮化钛晶种1~10%分别进行称量,湿法球磨干燥后制备成混合粉末;

(2)将混合粉末过筛制成造粒料;

(3)根据所需制品形状选择模具,将上述造粒料装入模具型腔内,模 压成形为坯件;

(4)将坯件在氮气气氛下快速升温到1200℃,再慢速升温到1500℃, 然后以0.6℃/min的升温速度升温到1600-1700℃下保温1~4小时,烧结 过程中始终通入流动氮气,最后随炉冷却,即获得氮化钛多孔陶瓷。

上述方法中,步骤(1)中氧化钛与碳黑的质量比值为3~4。

所述步骤(4)中氮气气氛压力为>1个大气压。流动氮气的流量为3L/min。 快速升温是以20℃/min的升温速度进行;慢速升温是以1.6℃/min的升温 速度进行。

本发明制备的氮化钛多孔陶瓷是利用氧化钛通过碳热还原反应 TiO2+2C+1/2N2→TiN+2CO转变成氮化钛,它的优点是:(一)原料成本低,工艺 简单;(二)除了CO气体外,没有有害气体放出,得到的氮化钛多孔陶瓷纯度非 常高,成分容易控制;(三)反应产生40%的重量损失,可以得到较高的气孔率。

按照本发明的方法,通过调整配方组成,可以得到具有不同气孔率和力 学性能的氮化钛多孔陶瓷。该制备工艺因为利用碳热还原法的优点,以廉价 的氧化钛粉末、碳黑为主要原料从而可进一步降低生产成本。与现有氮化钛 多孔陶瓷的制备工艺相比,本发明方法具有生产工艺简单,制备成本低的优 点。该工艺制备的氮化钛多孔陶瓷微观组织晶粒细小,气孔分布均匀。可以 广泛应用于可用于热阻材料和超导材料等电子器件,以及金属基复合材料的 增强相中。

附图说明

图1为实施例1烧结后的显微形貌照片。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学,未经西安交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910219329.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top