[发明专利]一种发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，从下至上依次包括衬底、缓冲层、反射层、n型限制层、发光区、p型限制层、窗口层、出光层和电极，其特征在于，在窗口层和p型限制层间加入电流阻挡层形成肖特基势垒，所述电流阻挡层的厚度为0.01--5.0μm。

2.根据权利要求书1所述的发光二极管，其特征在于所述电流阻挡层的材料是SiO₂、TiO₂、Ti₂O₅、ZnO或者Al₂O₃。

3.根据权利要求书1所述的发光二极管，其特征在于所述电流阻挡层的厚度为0.1-1.0μm。

4.根据权利要求书1或3所述的发光二极管，其特征在于所述电流阻挡层的材料是SiO₂、TiO₂或Al₂O₃。

5.一种发光二极管的制造方法，用金属有机化学气相沉积方法依次在GaAs衬底上外延生长缓冲层、反射层、n型限制层、发光区、p型限制层和窗口层，得到发光二极管外延片；其特征在于生长步骤还包括：

(1)用硫酸清洗后，在窗口层上刻蚀出生长电流阻挡层的区域，刻蚀的方法采用干法或湿法刻蚀，刻蚀深度等于透窗口层的厚度；

(2)采用蒸镀方法，在蒸镀温度150℃，压强小于5×10^-6torr，蒸发速率0.1nm/s的条件下生长电流阻挡层，采用的材料是SiO₂、TiO₂、Ti₂O₅、ZnO或者Al₂O₃，得到电流阻挡层厚度为0.01-5.0μm，退火后有效的电流阻挡层的厚度为0.01-1.0μm；

(3)在压力为80×155par，750℃下生长厚度为0.1-20.0μm的出光层；

(4)然后在压力为80×155par，750℃下，在衬底一侧生长n型电极，在出光层上生长p型电极。