[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910221306.9 | 申请日： | 2009-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101740634A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 桑原秀明;秋元健吾;佐佐木俊成 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L21/34;H01L21/203;H01L21/3205;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
栅电极层；
所述栅电极层上的栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层上的源电极层及漏电极层；
所述源电极层及所述漏电极层上的氧化物半导体层；以及
所述氧化物半导体层上的半导体层，
其中所述氧化物半导体层接触于所述栅极绝缘层、所述源电极层 及所述漏电极层的上面和所述源电极层及所述漏电极层的侧面部，
所述氧化物半导体层位于所述栅电极层与所述半导体层之间，
所述氧化物半导体层的整体重叠于所述栅电极层，
所述半导体层的电导率高于所述氧化物半导体层的电导率，
并且所述氧化物半导体层与所述源电极层及所述漏电极层中的 每一个电连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层 至少包含铟、镓及锌中的一种。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，
其中所述半导体层是至少包含铟、镓及锌中的一种的氧化物半导 体层，
并且所述氧化物半导体层具有比所述半导体层的氧浓度高的氧 浓度。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层 的载流子浓度低于1×1017/cm3。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体层的电导 率高于1.0×10-3S/cm。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层 中的钠浓度为5×1019/cm3以下。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体装置是选 自招贴、广告、电子书籍、电视装置、数码相框、游戏机及电话机中 的一种。
8.一种半导体装置，包括：
栅电极层：
所述栅电极层上的栅极绝缘层；
所述栅极绝缘层上的源电极层及漏电极层；
所述源电极层上的具有n型导电型的第一缓冲层及所述漏电极层 上的具有n型导电型的第二缓冲层；
所述第一缓冲层及所述第二缓冲层上的氧化物半导体层；以及
所述氧化物半导体层上的半导体层，
其中所述氧化物半导体层接触于所述栅极绝缘层、所述第一缓冲 层及所述第二缓冲层的上面和所述源电极层及所述漏电极层的侧面 部，
所述氧化物半导体层位于所述栅电极层与所述半导体层之间，
所述氧化物半导体层的整体重叠于所述栅电极层，
所述半导体层的电导率高于所述氧化物半导体层的电导率，
所述第一缓冲层及所述第二缓冲层中的每一个的载流子浓度高 于所述氧化物半导体层的载流子浓度，
并且所述氧化物半导体层通过所述第一缓冲层与所述源电极层 的上面电连接且通过所述第二缓冲层与所述漏电极层的上面电连接。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层 至少包含铟、镓及锌中的一种。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，
其中所述半导体层是至少包含铟、镓及锌中的一种的氧化物半导 体层，
并且所述氧化物半导体层具有比所述半导体层的氧浓度高的氧 浓度。
11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体层 的载流子浓度低于1×1017/cm3。
12.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述半导体层的电 导率高于1.0×10-3S/cm。
13.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体 层中的钠浓度为5×1019/cm3以下。
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