[发明专利]用于低能地访问相变存储器设备的方法有效

专利信息
申请号: 200910221645.7 申请日: 2009-11-11
公开(公告)号: CN101923894A 公开(公告)日: 2010-12-22
发明(设计)人: C·雷斯塔;F·贝代斯基 申请(专利权)人: 恒忆公司
主分类号: G11C11/56 分类号: G11C11/56;G11C16/08
代理公司: 北京润平知识产权代理有限公司 11283 代理人: 周建秋;王凤桐
地址: 瑞士*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要:
搜索关键词: 用于 低能 访问 相变 存储器 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于访问相变存储器设备的方法,该方法包括:

提供连接在多个位线与多个字线的交叉点处的多个相变存储器单元;

将第一子多个位线组合在第一组中,将第二子多个位线组合在第二组中;

在所述第一组和所述第二组中选择至少一个位线;

提供电流到所选择的位线;

偏置所选择的字线,

其中在所述第一组和所述第二组中选择至少一个位线包括在所述第一组中选择第一位线,并且当所述第一位线被选择时,在所述第二组中选择第二位线,所述第二位线被排列在所述所选择的字线上并且与所述第一组中的第一位线对称。

2.根据权利要求1所述的方法,其中组合第一子多个位线和组合第二子多个位线包括组合每个子多个位线中的n个位线,在所述第一组中选择第一位线包括在所述第一组中选择位线BL<i>,以及选择所述第二位线包括在所述第二组中选择位线BL<2n-1-i>。

3.根据权利要求1所述的方法,该方法还包括取消选定所述第一位线和所述第二位线,在所述第一组中选择不同于所述第一位线的第三位线,并且当所述第三位线仍被选择时,在所述第二组中选择第四位线,所述第四位线与所述第一组中的第三位线对称排列。

4.根据权利要求1所述的方法,其中组合第一子多个位线和组合第二子多个位线包括组合每个子多个位线中的n个位线,该方法还包括重复执行选择所述第一子多个位线和所述第二子多个位线中的对称位线的步骤,直到到达所述第一组中的第n个位线。

5.根据权利要求1所述的方法,该方法还包括组合第三组中的第三子多个位线,所述第三组邻近所述第一组和所述第二组,其中当所述第一位线和所述第二位线仍被选择时,选择所述第三组中的位线,所述第三组中的位线与所述第一组或所述第二组中的位线对称排列。

6.根据权利要求1所述的方法,该方法还包括对连接到所选择的位线的相变存储器单元进行写入。

7.根据权利要求1所述的方法,该方法还包括对连接到所选择的位线的相变存储器单元进行读取。

8.根据权利要求1所述的方法,该方法还包括:

提供沿着一个方向排列成行并耦合到外围电路的多个区块,每个区块包括至少一个字线,

对第一区块进行寻址,并且当所述第一区块被选择时,选择第二区块,所述第二区块沿着所述方向与所述第一区块对称排列。

9.一种相变存储器设备,该相变存储器设备包括:

包括第一组位线和第二组位线的多个位线;

跨越所述位线的多个字线;

连接在所述位线与所述字线的交叉点处的多个相变存储器单元;

选择层,用于在所述第一组位线和所述第二组位线中选择至少一个位线;

电流生成器,用于将访问电流提供到所选择的位线;

偏置层,用于偏置所选择的字线,

其中所述选择层包括用于在所述第一组中选择第一位线并当所述第一位线仍被选择时在所述第二组中选择第二位线的装置,所述第二位线与所述第一组中的第一位线对称排列。

10.根据权利要求9所述的相变存储器设备,其中所述第一组和所述第二组中的每一个包括n个位线,其中所述选择层包括用于顺序地选择所述第一组中的位线BL<i>和所述第二组中的位线BL<2n-1-i>的装置。

11.根据权利要求9所述的相变存储器设备,其中所述电流生成器包括写入层。

12.根据权利要求9所述的相变存储器设备,其中所述电流生成器包括读出层。

13.根据权利要求9所述的相变存储器设备,其中所述字线被组合在沿着一个方向排列成行并耦合到外围电路的多个区块中,所述存储器包括用于对第一区块进行寻址和用于当所述第一区块仍被寻址时对第二区块进行寻址的装置,所述第二区块沿着所述方向被对称排列。

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