[发明专利]处理半导体晶片的方法

权利要求书

1.一种处理半导体晶片(5)的处理方法，其中半导体晶片(5)

●在至少部分用含氟化氢的溶液(91)填充的液体容器(11) 中处理，以使位于半导体晶片(5)表面上的氧化物溶解，

●沿输送方向(81)从溶液(91)输出，并干燥，以及

●干燥后，用含臭氧气体(93)处理，以使半导体晶片(5)的 表面氧化，

其中，半导体晶片(5)的一部分表面已经与含臭氧气体(93)接触， 而半导体晶片(5)的另一部分表面仍旧与溶液(91)接触，并且溶液(91) 和含臭氧气体(93)以不会彼此接触的方式空间分离。

2.权利要求1的方法，其中含臭氧气体(93)位于通过分隔物(33) 空间分离的区域内，并且沿输送方向(81)，穿过分隔物(33)的开口(34) 将干燥状态的半导体晶片(5)输送进所述区域内。

3.权利要求1和2之一的方法，其中借助于通过一个或多个喷嘴(35) 以导向半导体晶片(5)表面的流动方向供给的惰性气体对半导体晶片(5) 进行干燥。

4.权利要求1和2之一的方法，其中通过一个或多个喷嘴(36)以导 向半导体晶片(5)表面的流动方向供给含臭氧气体(93)。

5.权利要求1和2之一的方法，其中用输送装置(21、22)沿输送方 向(81)将半导体晶片(5)输送过液体容器(11)，其中液体容器(11) 在两个相对的侧壁上具有进口(31)和出口(32)，各自位于溶液(91)的 表面之下。

6.权利要求5的方法，其中半导体晶片(5)以基本上水平位置输送， 并且进口(31)和出口(32)是基本上水平布置的狭缝，其高度略微大于 半导体晶片(5)的厚度，长度略微大于半导体晶片(5)的宽度。

7.权利要求5的方法，其中溶液(91)

●经由进口(31)流出，或在进口(31)附近于液体容器11内 排放，和

●随后收集、过滤和返回至液体容器(11)。