[发明专利]发光源封装体有效
申请号: | 200910221757.2 | 申请日: | 2007-03-22 |
公开(公告)号: | CN101740688A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 沈育浓 | 申请(专利权)人: | 沈育浓 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/50;H01L33/64;H01L33/10;H01L25/00;H01L23/48 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 韩宏;夏青 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光源 封装 | ||
1.一种发光源封装体,其特征在于包括:
一个发光晶元,该发光晶元包括
一个第一半导体层,该第一半导体层是一个第一导电类 型半导体层;
一个第二半导体层,该第二半导体层是一个第二导电类 型半导体层且是叠置在该第一半导体层上的;
一个叠置在该第二半导体上的工业蓝宝石层,该工业蓝 宝石层的与该第二半导体层相对的表面上以适当的方式形成有数 个微孔洞,在每个微孔洞内,形成了荧光粉层。
2.如权利要求1所述的发光源封装体,其中,该荧光粉层被 掺杂有CrTiO2或者CrO2。
3.如权利要求1所述的发光源封装体,其中,这些微孔洞的 大小是若干μm到若干nm的范围之间以达到微孔效应。
4.如权利要求1所述的发光源封装体,其中,该第一半导体 层是N型半导体层而该第二半导体层是P型半导体层。
5.如权利要求1所述的发光源封装体,其特征在于还包括一 层布设于该工业蓝宝石层的表面上的散热透明金属。
6.如权利要求1所述的发光源封装体,其特征在于还包括一 个形成于该第一半导体层的与第二半导体层相对的表面上的反射 层。
7.如权利要求6所述的发光源封装体,其特征在于在该第一 半导体的形成有反射层的表面上还形成有数个微孔洞以提高65% 反射增益。
8.如权利要求1所述的发光源封装体,其特征在于还包括一 个第二发光晶元,该第二发光晶元具有
一个第一半导体层,该第二发光晶元的第一半导体层是一个 第一导电类型半导体层且是经由适于与外部电路电气连接的导体 来叠置在该第一发光晶元的第一半导体层的与该第一发光晶元的 第二半导体层相对的表面上的;以及
一个第二半导体层,该第二发光晶元的第二半导体层是一个 第二导电类型半导体层且是叠置在该第二发光晶元的第一半导体 层的与该第一发光晶元的第一半导体层相对的表面上的,该第二 发光晶元的第二半导体层经由适于与外部电路电气连接的导体来 与该第一发光晶元的第二半导体层电气连接。
9.如权利要求8所述的发光源封装体,其中,由这些发光晶 元所发射出来的光线具有不同的波长。
10.如权利要求9所述的发光源封装体,其中,掺杂在该荧光 粉层内的荧光粉包括适于由不同波长的光线激发的荧光粉。
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