[发明专利]功率半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种功率半导体装置的制造方法，其中，具备：

准备半导体衬底的工序，该半导体衬底具有一方的主面和另一方的主面，并且包含第一层，该第一层具有第一导电型并在所述一方的主面侧配置；

在所述第一层上形成具有多个开口部的掩膜层的工序；

通过使用所述掩膜层导入杂质，从而在所述第一层上形成具有与所述第一导电型不同的第二导电型的第二层的工序；

通过使用所述掩膜层导入杂质，从而在所述第二层上形成具有所述第一导电型的第三层的工序；

通过使用至少包含所述掩膜层的蚀刻掩膜进行蚀刻，形成贯通所述第二层和所述第三层并到达所述第一层的沟槽的工序；

形成覆盖所述沟槽的侧壁的栅极绝缘膜的工序；以及

在所述栅极绝缘膜上形成填充所述沟槽的沟槽栅的工序。

2.根据权利要求1所述的功率半导体装置的制造方法，其中，还具备：在形成所述第二层的工序之后，为了缩窄所述多个开口部而在所述掩膜层的侧壁上形成侧壁膜的工序，

所述蚀刻掩膜包含所述侧壁膜。

3.根据权利要求1所述的功率半导体装置的制造方法，其中，在形成所述第二层的工序中，还包括如下工序，即，通过从所述多个开口部中的相互相邻的1对开口部的每一个，向所述第一层的被所述掩膜层覆盖的区域导入杂质，从而在表面侧中形成具有比所述第二层的杂质浓度高的杂质浓度的高浓度区域的工序。

4.根据权利要求1所述的功率半导体装置的制造方法，其中，所述掩膜层的所述多个开口部在一个方向以一个周期设置，并且所述掩膜层的所述多个开口部的每一个在所述一个方向具有一个宽度，

所述一个周期小于所述一个宽度与所述第二层的扩散深度的1.6倍的和。

5.根据权利要求1所述的功率半导体装置的制造方法，其中，还具备：在所述半导体衬底的所述另一方的主表面上形成具有所述第二导电型的半导体区域的工序。

6.根据权利要求5所述的功率半导体装置的制造方法，其中，还具备：通过使用所述掩膜层导入杂质，从而在所述第一层上形成具有所述第一导电型的载流子蓄积层的工序，

形成所述第二层的工序是通过在隔着所述载流子蓄积层的所述第一层上形成所述第二层来进行。

7.根据权利要求6所述的功率半导体装置的制造方法，其中，形成所述载流子蓄积层的工序使用离子注入机来进行。

8.根据权利要求1所述的功率半导体装置的制造方法，其中，所述半导体衬底包含：在所述另一方的主面侧配置的具有所述第二导电型的半导体区域。

9.根据权利要求8所述的功率半导体装置的制造方法，其中，还具备：通过使用所述掩膜层导入杂质，从而在所述第一层上形成具有所述第一导电型的载流子蓄积层的工序，

形成所述第二层的工序是通过在隔着所述载流子蓄积层的所述第一层上形成所述第二层来进行。

10.根据权利要求9所述的功率半导体装置的制造方法，其中，形成所述载流子蓄积层的工序使用离子注入机来进行。