[发明专利]开口填充材料的缺陷检测方法无效
| 申请号： | 200910221881.9 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102074488A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | 平延磊;李健;卜维亮;李勇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N1/32;G01N23/225 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 开口 填充 材料 缺陷 检测 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种开口填充材料的缺陷检测方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底内形成有开口，所述开口内通过填充工艺形成有填充材料；
对所述填充材料的表面进行平整化；
对所述平整化后的填充材料的表面进行缺陷扫描。
2.根据权利要求1所述的开口填充材料的缺陷检测方法，其特征在于，所述缺陷扫描的方法为使用扫描电子显微镜对所述填充材料的表面进行观测。
3.根据权利要求1所述的开口填充材料的缺陷检测方法，其特征在于，还包括对缺陷的数量进行统计，并设定阈值，如果缺陷的数量大于所述阈值，则检测结果判定为未通过。
4.根据权利要求1所述的开口填充材料的缺陷检测方法，其特征在于，所述平整化的方法为化学机械抛光。
5.根据权利要求1所述的开口填充材料的缺陷检测方法，其特征在于，所述开口为浅沟槽隔离结构。
6.根据权利要求5所述的开口填充材料的缺陷检测方法，其特征在于，所述填充工艺为化学气相沉积或高密度等离子体化学气相沉积。
7.根据权利要求5所述的开口填充材料的缺陷检测方法，其特征在于，所述填充材料为介质材料。
8.根据权利要求7所述的开口填充材料的缺陷检测方法，其特征在于，所述填充材料为氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
