[发明专利]具有一次写入和可重复写入特性的光学记录介质有效
| 申请号： | 200910222065.X | 申请日： | 2009-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101740057A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·纳普曼 | 申请（专利权）人： | 汤姆森特许公司 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 法国布洛涅*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 一次 写入 重复 特性 光学 记录 介质 | ||
1.一种光学记录介质(1)，具有包括至少第一记录子层(R1)和第二 记录子层(R2)的记录层(4)，其中所述至少第一记录子层(R1)和第二 记录子层(R2)的材料适合于在记录光束的照射下形成熔合材料，且其中所 述熔合材料是相变材料，其特征在于，所述光学记录介质(1)包括第一组 数据和第二组数据，该第一组数据被编码为通过熔合所述至少第一记录子层 (R1)和第二记录子层(R2)的材料而形成的一系列非熔合间隔和熔合标 记(3)，该第二组数据叠加在所述第一组数据的熔合标记(3)上，该第二 组数据被编码为该熔合标记(3)的该熔合材料的相变，
其中选择该至少第一记录子层(R1)和第二记录子层(R2)的材料， 从而使得将该熔合材料的状态从非晶态转变为晶态所需的第一记录功率 (P1)小于将该熔合材料的状态从晶态转变为非晶态所需的第二记录功率 (P2)，且将该熔合材料的状态从晶态转变为非晶态所需的第二记录功率 (P2)小于熔合该材料所需的第三记录功率(P3)。
2.根据权利要求1所述的光学记录介质(1)，其中该记录层(4)具有 三个记录子层(R1、R2、R3)，该三个记录子层(R1、R2、R3)分别由AgInTe2、 Ag和Sb70Te30组成。
3.根据权利要求1所述的光学记录介质(1)，其中该光学记录介质(1) 包括由该熔合材料的相变编码的译码钥匙。
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