[发明专利]液晶取向剂、聚有机硅氧烷、液晶取向膜及其形成方法以及液晶显示元件有效
申请号: | 200910222711.2 | 申请日: | 2009-11-12 |
公开(公告)号: | CN101735825A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 秋池利之;中田正一;吉泽纯司 | 申请(专利权)人: | JSR株式会社 |
主分类号: | C09K19/56 | 分类号: | C09K19/56;G02F1/1337;G03F7/031 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所 11216 | 代理人: | 刘激扬 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 取向 有机硅 及其 形成 方法 以及 液晶显示 元件 | ||
技术领域
本发明涉及液晶取向剂、聚有机硅氧烷、液晶取向膜及其形 成方法以及液晶显示元件。
背景技术
迄今,已知具有将具有正介电各向异性的向列型液晶在带有 具有液晶取向膜的透明电极的基板中形成夹层结构,并根据需要 使液晶分子的长轴在基板间连续地扭转0~360°的TN型(扭曲向 列)和STN(超扭曲向列)型、液晶分子的长轴相对于基板在水平方 向上取向的IPS(面内切换)型等各种液晶盒的液晶显示元件(参考 专利文献1~4)。
在这种液晶盒中,作为使液晶取向的手段,现有在基板表面 上形成有机膜,然后通过用人造纤维等布料对该有机膜表面以一 定方向摩擦而使其产生液晶取向能,将其作为液晶取向膜的方法 (进行打磨处理的方法)、向基板表面斜向蒸镀氧化硅的方法或通过 Langmuir-Blodgett法(LB法)形成具有长链烷基的单分子膜的方法 等。其中,从基板尺寸、液晶取向均一性、处理时间和处理成本 的角度考虑,通常通过打磨处理产生液晶取向能。
但是,若通过打磨处理进行液晶的取向,则存在由于工序中 容易产生粉尘、静电,从而导致取向膜表面附着粉尘而成为显示 不良发生的原因的问题。特别是在使用具有TFT(薄膜晶体管)元件 的基板的情况下,还存在产生的静电导致TFT元件电路损坏而成 为成品率下降的原因的问题。并且,在今后日益高度精密化的液 晶显示元件中,随着像素的高密度化,基板表面难免产生凹凸不 平,故而使得均匀地进行打磨处理日益渐渐变得困难起来。
作为使液晶盒中的液晶取向膜产生液晶取向能的其它方法, 已知通过对基板表面上形成的聚乙烯肉桂酸酯、聚酰亚胺等感光 性薄膜照射偏光或非偏光的射线而使其产生液晶取向能的光取向 法。若采用该方法,则不会产生静电和粉尘,可实现均一的液晶 取向(参考专利文献6~16和19~21)。
不过,在TN型(扭曲向列)、STN(超扭曲向列)型等的液晶盒 中,液晶取向膜必需使液晶分子相对于基板面以预定的角度(预倾 角)倾斜取向(参考专利文献2)。在采用光取向法形成液晶取向膜的 情况下,预倾角通常通过用入射方向从基板法线发生倾斜的射线 照射基板面而产生(参考专利文献6)。
另外,作为上述以外的液晶显示元件的工作模式,还已知使 具有负介电各向异性的液晶分子在基板间垂直取向的垂直 (homeotrophic)取向模式。在该工作模式中,在向基板间施加电压 使液晶分子向与基板平行的方向倾斜时,必须使液晶分子从基板 法线方向向基板面内的一个方向倾斜。作为达到这种目的的手段, 已提出了例如在基板表面上设置突起的方法、使透明电极上设置 条带的方法、采用打磨取向膜使液晶分子从基板法线方向向基板 面内的一个方向略微事先倾斜(使其预倾斜)的方法等(参考专利文 献5和非专利文献1~3)。
上述光取向法,已知在垂直取向模式的液晶显示元件中作为 控制液晶分子倾斜方向的方法也是很有用的(参考专利文献15~ 21)。
这样,采用上述光取向法制造的液晶取向膜,可以有效地应 用于液晶显示元件。但是,以往采用光取向法制造的液晶取向膜, 其预倾角不稳定,也就是说,虽然液晶取向膜刚刚形成时能够显 示出良好的预倾角性能,但是存在预倾角性能随着时间的推移而 下降的问题。
【专利文献】
【专利文献1】日本特开平4-153622号公报
【专利文献2】日本特开昭60-107020号公报
【专利文献3】日本特开昭56-91277号公报
【专利文献4】美国专利第5928733号说明书
【专利文献5】日本特开平11-258605号公报
【专利文献6】日本特开平9-222605号公报
【专利文献7】日本特开平6-287453号公报
【专利文献8】日本特开平10-251646号公报
【专利文献9】日本特开平11-2815号公报
【专利文献10】日本特开平11-152475号公报
【专利文献11】日本特开2000-144136号公报
【专利文献12】日本特开2000-319510号公报
【专利文献13】日本特开2000-281724号公报
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