[发明专利]氮化物类半导体激光元件和光拾取装置

权利要求书

1.一种氮化物类半导体激光元件，其特征在于，包括：

氮化物类半导体元件层，其具有光射出侧端面和光反射侧端面；以及

端面覆盖膜，其包括形成在所述光反射侧端面上的变质防止层和形成在所述变质防止层上的反射率控制层，

所述反射率控制层由交替地叠层的高折射率层和低折射率层构成，

所述变质防止层叠层有两层以上的层，并且各层分别由利用氮化物、氧化物或氮氧化物形成的电介质层构成，

所述变质防止层具有与所述光反射侧端面相接的由利用氮化物形成的电介质层构成的第一层，

构成所述变质防止层的各层的厚度小于所述高折射率层的厚度，并且小于所述低折射率层的厚度。

2.如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述变质防止层还具有和所述第一层的与所述光反射侧端面相反的一侧相接的由利用氧化物或氮氧化物形成的电介质层构成的第二层。

3.如权利要求2所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述变质防止层还具有与所述第一层独立地形成的、并且和所述第二层的与所述第一层相反的一侧相接的由利用氮化物形成的电介质层构成的第三层。

4.如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述第一层为AlN。

5.如权利要求3所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述第二层为Al₂O₃或AlON。

6.如权利要求3所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述第三层为AlN。

7.如权利要求3所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述变质防止层还具有和所述第三层的与所述第二层相反的一侧相接的由利用氧化物形成的电介质层构成的第四层。

8.如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述端面覆盖膜还包括形成于所述变质防止层和所述反射率控制层之间的、由氧化物或氮氧化物形成的界面层。

9.如权利要求8所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述界面层由与所述反射率控制层相接的层和与所述变质防止层相接的层构成。

10.如权利要求9所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

与所述反射率控制层相接的构成所述界面层的层含有与所述反射率控制层相同的元素。

11.如权利要求10所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

与所述反射率控制层相接的构成所述界面层的层由SiO₂构成。

12.如权利要求9所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

与所述变质防止层相接的构成所述界面层的层含有与所述变质防止层相同的金属元素。

13.如权利要求12所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

与所述变质防止层相接的构成所述界面层的层由Al₂O₃形成。

14.如权利要求8所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述氮化物类半导体元件层还具有发光层，

在所述发光层发出的激光的波长为λ的情况下，构成所述界面层的层的光学膜厚设定为λ/4以上。

15.如权利要求8所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

构成所述界面层的层的厚度大于构成所述变质防止层的各层的厚度。

16.如权利要求1所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

构成所述变质防止层的各层含有相同的金属元素。

17.如权利要求5所述的氮化物类半导体激光元件，其特征在于：

所述第二层由AlON构成，并且，由所述AlON构成的第二层中的氮的组成比大于氧的组成比。