[发明专利]半导体制造工艺及用于此半导体制造工艺的设备

权利要求书

1.一种半导体制造工艺，其特征在于包括以下步骤：

提供一晶圆，其中该晶圆上已形成一曝光后的光阻层，且该晶圆包括一中心区及一边缘区；以及

改变该晶圆的该边缘区的一性质。

2.根据权利要求1所述的半导体制造工艺，其特征在于藉由微影轨道机来改变该晶圆的该边缘区的该性质。

3.根据权利要求1所述的半导体制造工艺，其特征在于该性质包括温度。

4.根据权利要求3所述的半导体制造工艺，其特征在于该中心区及该边缘区之间的温度差异在5到20℃内。

5.根据权利要求1所述的半导体制造工艺，其特征在于提供该晶圆的步骤之后，更包括在该晶圆上喷洒显影液。

6.根据权利要求5所述的半导体制造工艺，其特征在于该性质包括显影液浓度。

7.根据权利要求6所述的半导体制造工艺，其特征在于该中心区及该边缘区的显影液浓度的差异在5到15％内。

8.根据权利要求1所述的半导体制造工艺，其特征在于该曝光后的光阻层先前是以相同的曝光能量在该晶圆的该中心区及该边缘区进行曝光。

9.根据权利要求1所述的半导体制造工艺，其特征在于该曝光后的光阻层先前是以不同的曝光能量在该晶圆的该中心区及该边缘区进行曝光。

10.一种用于半导体制造工艺的设备，其特征在于其是对具有曝光后的光阻层形成于其上的晶圆进行该半导体制造工艺，该设备包括：

一环状构件，其整合至微影轨道机的一单元，以改变该晶圆的边缘区的性质。

11.根据权利要求10所述的用于半导体制造工艺的设备，其特征在于该单元包括一曝光后烘烤单元。

12.根据权利要求11所述的用于半导体制造工艺的设备，其特征在于该环状构件与该曝光后烘烤单元对该晶圆具有不同的加热温度。

13.根据权利要求10所述的用于半导体制造工艺的设备，其特征在于该单元包括一显影单元。

14.根据权利要求13所述的用于半导体制造工艺的设备，其特征在于该环状构件与该显影单元对该晶圆提供不同的显影液浓度。