[发明专利]基板支撑单元、使用该单元抛光基板的装置及方法有效
申请号: | 200910224193.8 | 申请日: | 2009-11-26 |
公开(公告)号: | CN101740450A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 李泽烨 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00;H01L21/306 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 韩国忠清南道天*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑 单元 使用 抛光 装置 方法 | ||
1.一种基板支撑单元,包括:
真空板,用于真空吸附基板;
夹持部件,插入贯穿所述真空板的孔中;以及
驱动部件,垂直移动所述夹持部件以支撑放置在所述真空板上的基板,从 而使所述基板向上与所述真空板隔离开,其中,所述驱动部件包括:
上磁力构件,所述上磁力构件连接到所述夹持部件;
下磁力构件,所述下磁力构件中的一个磁极被定向,以使磁斥力在所述上 磁力构件和下磁力构件之间作用,所述下磁力构件设置在所述上磁力构件的下 方,以与所述上磁力构件相对设置;以及
线性驱动单元,所述线性驱动单元垂直移动所述下磁力构件。
2.如权利要求1所述的基板支撑单元,其中,所述夹持部件包括支撑所述 基板底面的支撑销、和支撑所述基板侧面的夹持销。
3.如权利要求2所述的基板支撑单元,其中,所述上磁力构件包括连接到 所述支撑销的第一上磁力构件、和连接到所述夹持销的第二上磁力构件。
4.如权利要求3所述的基板支撑单元,其中,所述下磁力构件包括:
第一下磁力构件,所述第一下磁力构件中的一个磁极被定向,以使磁斥力 在所述第一上磁力构件和第一下磁力构件之间作用,所述第一下磁力构件设置 在所述第一上磁力构件的下方;以及
第二下磁力构件,所述第二下磁力构件中的一个磁极被定向,以使磁斥力 在所述第二上磁力构件和第二下磁力构件之间作用,所述第二下磁力构件设置 在所述第二上磁力构件的下方,
其中,所述线性驱动单元包括:
垂直移动所述第一下磁力构件的第一线性驱动单元;以及
垂直移动所述第二下磁力构件的第二线性驱动单元。
5.如权利要求4所述的基板支撑单元,其中,所述第一上磁力构件和第二 上磁力构件,以及所述第一下磁力构件和第二下磁力构件均为环状。
6.如权利要求1所述的基板支撑单元,其中,在所述真空板的顶面限定有 多个真空吸附孔,在所述真空板内设置有使所述真空吸附孔彼此连接的真空管 线,
其中,所述基板支撑单元进一步包括:
为所述真空管线提供负压以真空吸附所述基板的抽气组件;以及
在所述基板向上与所述真空板隔离开的状态下,向所述真空管线供应气体, 以防止外界异物被引入所述真空吸附孔的气体供应组件。
7.如权利要求1所述的基板支撑单元,所述基板支撑单元进一步包括:
转动所述真空板的中空型旋转驱动单元;以及
插入到所述旋转驱动单元中空部分的后喷嘴组件,所述后喷嘴组件向所述 向上与真空板隔离开的基板的底面喷射清洗液。
8.如权利要求7所述的基板支撑单元,所述基板支撑单元进一步包括:垂 直移动所述后喷嘴组件的后喷嘴驱动单元,以使所述后喷嘴组件从所述真空板 的顶面伸出。
9.一种单晶圆型基板抛光装置,包括:
工艺室;
设置在所述工艺室内的基板支撑单元,所述基板支撑单元支撑基板;
对所述基板支撑单元支撑的基板抛光的抛光单元;以及
对所述基板支撑单元支撑的基板进行清洗的清洗单元,
其中,所述基板支撑单元包括:
真空板,用于真空吸附基板;
夹持部件,插入贯穿该真空板的孔中;以及
驱动部件,垂直移动所述夹持部件以支撑放置在所述真空板上的基板,从 而使所述基板向上与所述真空板隔离开,其中,所述驱动部件包括:
上磁力构件,所述上磁力构件连接到所述夹持部件;
下磁力构件,所述下磁力构件中的一个磁极被定向,以使磁斥力在所述上 磁力构件和下磁力构件之间作用,所述下磁力构件设置在所述上磁力构件的下 方,以与所述上磁力构件相对设置;以及
线性驱动单元,所述线性驱动单元垂直移动所述下磁力构件。
10.如权利要求9所述的单晶圆型基板抛光装置,其中,所述夹持部件包括 支撑所述基板底面的支撑销、和支撑所述基板侧面的夹持销。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造