[发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法无效
| 申请号： | 200910224385.9 | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN102087989A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | 许宗能;蒋昆坤;任华;任小兵 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制造 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括：
形成开口暴露出衬底的硬掩模后，将所述衬底置于氧氛围中进行氧化处理；
在所述氧化处理后，通过干法蚀刻在所述开口处的衬底中形成浅沟槽。
2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述氧氛围为氧的等离子体氛围。
3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述干法蚀刻采用cl2和O2的混合气体作为蚀刻气体。
4.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，形成开口暴露出衬底的硬掩模包括：
在衬底上依次形成场氧化层及氮化层；
在所述氮化层上形成光阻图形；
以所述光阻图形为掩模，依次蚀刻所述氮化层、场氧化层至暴露出衬底。
5.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，蚀刻所述氮化层、场氧化层采用干法蚀刻的方法。
6.如权利要求5所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，蚀刻所述氮化层包括主蚀刻以及主蚀刻后的过蚀刻，所述过蚀刻去除所述场氧化层及部分厚度的衬底。
7.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述场氧化层为氧化硅，通过炉管热氧化的方法形成。
8.如权利要求4所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述氮化层为氮化硅，通过化学气相沉积或炉管热生长的方法形成。
9.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，还包括：在形成浅沟槽后，填充介电材料形成浅沟槽隔离结构。
10.如权利要求9所述的浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述介电材料为氧化硅，通过高密度离子增强化学气相沉积的方法填充。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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