[发明专利]有机薄膜晶体管及制造方法和包含其的有机发光显示器件

权利要求书

1.一种包括有机薄膜晶体管的电子设备，所述有机薄膜晶体管包括：

源极和漏极，所述漏极与所述源极分隔开；

接触所述源极和所述漏极的有机半导体层，所述有机半导体层包括位于 所述源极与漏极之间的沟道部分和位于所述沟道部分外侧的非沟道部分；

与所述源极、所述漏极和所述有机半导体层绝缘的栅极，以及

使所述栅极与所述源极、漏极和所述有机半导体层绝缘的栅极绝缘薄膜，

其中，所述有机半导体层的沟道部分具有第一厚度，其中所述有机半导 体层的非沟道部分具有第二厚度，并且，其中所述第一厚度明显大于所述第 二厚度，使得位于所述源极和所述漏极上的所述有机半导体层的下表面为基 本平坦的，并且位于所述源极和所述漏极上的所述有机半导体层的上表面包 括台阶。

2.如权利要求1所述的设备，其中，所述第二厚度薄得足以避免两个邻 接的薄膜晶体管之间的串扰。

3.如权利要求1所述的设备，其中，所述有机半导体层覆盖所述源极和 所述漏极。

4.如权利要求1所述的设备，其中，所述源极和漏极中的任何一个或两 者基本上是无裂缝的。

5.如权利要求1所述的设备，其中，所述有机半导体层的非沟道部分通 过一种方法制造而成，该方法包括：

在所述源极和所述漏极中的任何一个或两者上形成包括有机半导体材料 的层；以及

使激光束作用于所述有机半导体材料的层仅仅达其某个深度。

6.如权利要求5所述的设备，其中，所述激光束对所述层的作用使一部 分所述层被烧蚀，从而使所述层比所述激光束作用之前的层明显更薄。

7.如权利要求1所述的设备，其中，所述源极和漏极由贵金属构成。

8.如权利要求1所述的设备，其中，所述源极和漏极包括一种或多种金 属或合金，其从Au、Ag、Pt、Ta、Pd以及由两种或更多种所述金属构成的 合金组成的组中选择。

9.如权利要求1所述的设备，其中，所述电子设备包括有机发光显示器 件。

10.一种制造包括有机薄膜晶体管的电子设备的方法，所述方法包括：

形成源极和漏极，所述漏极与所述源极分隔开；

形成包括有机半导体材料的有机半导体层，所述有机半导体层接触所述 源极和所述漏极，并且，所述有机半导体层包括位于所述源极与漏极之间的 沟道部分和位于所述沟道部分外侧的非沟道部分；以及

有选择地使激光束作用于所述有机半导体层的非沟道部分，使得所述有 机半导体层的沟道部分具有第一厚度，所述有机半导体层的非沟道部分具有 第二厚度，并且所述第一厚度明显大于所述第二厚度，从而位于所述源极和 所述漏极上的所述有机半导体层的下表面为基本平坦的，并且位于所述源极 和所述漏极上的所述有机半导体层的上表面包括台阶。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述激光束对所述有机半导体层 的作用使所述有机半导体层的一部分被烧蚀，从而使所述有机半导体层的所 述一部分比所述激光束作用之前的所述有机半导体层明显更薄。