[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的第一绝缘层；

形成在所述第一绝缘层上的第二绝缘层；

包括所述第二绝缘层上的源区与漏区之间的通道区的半导体层；

在所述半导体层上的栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上的栅电极；

覆盖所述栅电极的第三绝缘层；

形成在所述第三绝缘层中的第一开口；

形成在所述第三绝缘层中以曝露所述第一绝缘层的第二开口；

通过所述第一开口连接到所述源区或所述漏区的连接部分；

连接到所述连接部分的第一电极，其中所述第一电极在所述第二开口中与所述第 一绝缘层接触；

覆盖所述第三绝缘层和所述第一电极的堤层，其中所述堤层具有第三开口以曝露 所述第一电极；

形成在所述第三开口中所曝露的所述第一电极上的发光层；以及

形成在所述发光层上的第二电极。

2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述半导体层通过所述连接部 分被电连接到所述第一电极，所述连接部分被设为贯穿所述第三绝缘层。

3.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极包括具有透光特 性的导电物质。

4.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述衬底具有比所述第一绝缘 层小的折射率，并且其中所述第一绝缘层具有比所述第一电极小的折射率。

5.一种发光器件，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的第一绝缘层；

形成在所述第一绝缘层上的第二绝缘层；

包括所述第二绝缘层上的源区与漏区之间的通道区的半导体层；

在所述半导体层上的栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上的栅电极；

覆盖所述栅电极的第三绝缘层；

形成在所述第三绝缘层中以曝露所述第一绝缘层的第一开口；

形成在所述第一开口中以与所述第一绝缘层接触的第一电极；

覆盖所述第三绝缘层的堤层；

形成在所述堤层中的第二开口；

与所述第二开口中所曝露的所述第一电极接触的发光层；以及

形成在所述发光层上的第二电极。

6.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极通过连接部分被 电连接到所述半导体层，所述连接部分被设为贯穿所述第三绝缘层。

7.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极包括具有透光特 性的导电物质。

8.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述衬底具有比所述第一绝缘 层小的折射率，并且其中所述第一绝缘层具有比所述第一电极小的折射率。

9.一种发光器件，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的第一绝缘层；

形成在所述第一绝缘层上的第二绝缘层；

形成在所述第二绝缘层上的晶体管；

覆盖所述晶体管的第三绝缘层；

形成在所述第三绝缘层中以曝露所述第一绝缘层的第一开口；

覆盖所述第一开口和所述第三绝缘层以与所述第一绝缘层接触的第一电极；

覆盖所述第三绝缘层和所述第一电极的堤层，其中所述堤层具有第二开口以曝露 所述第一电极；

形成在所述第二开口中所曝露的所述第一电极上的发光层；以及

形成在所述发光层上的第二电极。

10.如权利要求9所述的发光器件，其特征在于，所述晶体管通过连接部分被电 连接到所述第一电极，所述连接部分被设为贯穿所述第三绝缘层。

11.如权利要求9所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极包括具有透光特 性的导电物质。