[发明专利]制造图像传感器的方法

权利要求书

1.一种方法，包括如下步骤：

在半导体衬底上方形成包括金属线的层间电介质层；

在所述层间电介质层上方形成图像感测部，该图像感测部包括具有第一掺杂层和第二掺杂层的堆叠结构；

通过将所述图像感测部和所述层间电介质层穿孔，形成暴露所述金属线的通孔；以及

对于具有所述通孔的所述半导体衬底进行清洗工艺，

其中，当形成所述通孔时，在所述图像感测部中形成底切，通过所述清洗工艺将自然氧化物层从所述底切中基本上去除。

2.如权利要求1所述的方法，包括在所述清洗工艺之后，在所述通孔中形成第一阻挡图案、第二阻挡图案以及接触插塞，

其中，进行所述清洗工艺之后的大约两个小时之内，在所述通孔中形成所述第一阻挡图案、所述第二阻挡图案以及所述接触插塞。

3.如权利要求2所述的方法，其中形成所述第一阻挡图案、所述第二阻挡图案以及所述接触插塞的步骤包括：

在所述通孔的侧壁和底面上方形成第一阻挡层和第二阻挡层；

在所述通孔中形成具有对应于所述第一掺杂层的第一高度的接触插塞，暴露出对应于所述第二掺杂层的所述第二阻挡层；

通过对于所述第二阻挡层进行第一蚀刻工艺，形成所述第二阻挡图案，所述第二阻挡图案的高度基本上与所述接触插塞的高度相同；以及

通过对于所述第一阻挡层进行第二蚀刻工艺，形成所述第一阻挡图案，以在所述通孔内暴露出所述第二掺杂层。

4.如权利要求3所述的方法，其中形成所述接触插塞的步骤包括：

形成金属层，基本上填充具有所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的所述通孔；以及

通过对于所述金属层进行回蚀刻工艺，选择性地去除所述金属层，使得所述金属层具有与所述第一掺杂层对应的第一高度。

5.如权利要求3所述的方法，其中所述第一阻挡层包括钛，

其中所述第二阻挡层包括氮化钛。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述清洗工艺包括使用稀释氟化氢和含缓冲剂的氟化氢的至少之一，

其中，通过所述清洗工艺基本上去除厚度大约在至之间的所述自然氧化物层，

其中所述接触插塞包括钨。

7.一种装置，包括：

层间电介质层，位于半导体衬底之上，所述层间电介质层包括金属线；

图像感测部，位于所述层间电介质层之上，包括具有第一掺杂层和第二掺杂层的堆叠结构；

通孔，通过将所述图像感测部和所述层间电介质层穿孔从而暴露所述金属线；

底切，其是当未通过清洗工艺将自然氧化物层基本上去除而基本形成所述通孔时，在所述图像感测部中形成的

底切，其是当基本形成所述通孔时在所述图像感测部中形成的，并且所述底切不带有自然氧化物层，所述自然氧化物层通过清洗工艺基本上被去除。

8.如权利要求7所述的装置，包括在所述清洗工艺之后在所述通孔中形成的第一阻挡图案、第二阻挡图案以及接触插塞，

其中，进行所述清洗工艺之后的大约两个小时之内，在所述通孔中形成所述第一阻挡图案、所述第二阻挡图案以及所述接触插塞。

9.如权利要求8所述的装置，包括：

第一阻挡层和第二阻挡层，位于所述通孔的侧壁和底面上方；

形成于所述通孔中的接触插塞，具有对应于所述第一掺杂层的第一高度，以暴露出对应于所述第二掺杂层的所述第二阻挡层；

其中，通过对于所述第二阻挡层进行第一蚀刻工艺，形成所述第二阻挡图案，该第二阻挡图案的高度实质上与所述接触插塞的高度相同；以及

其中，通过对于所述第一阻挡层进行第二蚀刻工艺，形成所述第一阻挡图案，从而暴露所述通孔内的所述第二掺杂层。

10.如权利要求9所述的装置，其中所述第一阻挡层包括钛，

其中所述第二阻挡层包括氮化钛，

其中所述接触插塞包括钨。