[发明专利]抗静电剂、抗静电膜及抗静电膜被覆物

权利要求书

1.一种抗静电剂，含有水溶性导电高分子、溶剂及作为具有聚乙烯 基结构的水溶性高分子的聚乙烯基己内酰胺。

2.权利要求1所述的抗静电剂，进一步含有表面活性剂。

3.权利要求1所述的抗静电剂，其中含有0.1～20质量％的水溶性导 电高分子、0.0001～10质量％的具有聚乙烯基结构的水溶性高分子及 70.0～99.8质量％的溶剂。

4.权利要求2所述的抗静电剂，其中含有0.1～20质量％的水溶性导 电高分子、0.0001～10质量％的具有聚乙烯基结构的水溶性高分子、 0.0001～2质量％的表面活性剂及68.0～99.8质量％的溶剂。

5.权利要求1所述的抗静电剂，其中水溶性导电高分子是具有布朗斯 台德Bronsted酸基或其盐的π共轭型导电性高分子。

6.权利要求5所述的抗静电剂，其中布朗斯台德Bronsted酸基为磺 酸基。

7.权利要求1所述的抗静电剂，其中水溶性导电高分子含有下述式(1) 所示的化学结构，

式中，m、n各自独立地表示0或1，X表示S、N-R¹或O中的任一种，

其中，R¹表示选自氢原子、碳数为1～20的直链状或支链状的饱和或不饱 和烃基、苯基及取代苯基的基团，A表示具有至少一个-B-SO₃^-M⁺表示 的取代基，且还可以具有其它取代基的碳数为1～4的亚烷基或亚烯基，可 以具有2个以上的双键，B表示-(CH₂)_p-(O)_q-(CH₂)_r-，p及 r各自独立地表示0或13的整数，q表示0或1，M⁺表示氢离子、碱金 属离子或季铵离子。

8.权利要求1所述的抗静电剂，其中水溶性导电高分子含有下述式(2) 所示的化学结构，

式中，R²～R⁴各自独立地表示氢原子、碳数为1～20的直链状或支链状的饱 和或不饱和烃基、碳数为1～20的直链状或支链状的饱和或不饱和烷氧基、 羟基、卤素原子、硝基、氰基、三卤甲基、苯基、取代苯基或-B-SO₃^-M⁺基，B表示-(CH₂)_p-(O)_q-(CH₂)_r-，p及r各自独立地表示0 或1～3的整数，q表示0或1，M⁺表示氢离子、碱金属离子或季铵离子。

9.权利要求8所述的抗静电剂，其中水溶性导电高分子是含有5-磺基 异硫茚-1，3-二基的聚合物。

10.权利要求1所述的抗静电剂，其中水溶性导电高分子含有下述式 (3)所示的化学结构，

式中，R⁵表示氢原子、碳数为1～20的直链状或支链状的饱和或不饱和烃 基、碳数为1～20的直链状或支链状的饱和或不饱和烷氧基、羟基、卤素 原子、硝基、氰基、三卤甲基、苯基、取代苯基或-B-SO₃^-M⁺基，B表 示-(CH₂)_p-(O)_q-(CH₂)_r-，p及r各自独立地表示0或1～3的 整数，q表示0或1，M⁺表示氢离子、碱金属离子或季铵离子。

11.使用权利要求1～10中任一项所述的抗静电剂获得的抗静电膜。

12.用权利要求11所述的抗静电膜被覆而获得的被覆物。

13.权利要求12所述的被覆物，其中被覆表面是涂布于衬底基板上的 感光性树脂组合物或可感应带电粒子束的组合物。

14.一种图案形成方法，其特征在于使用权利要求11所述的抗静电膜。