[发明专利]像素和使用该像素的有机发光显示装置有效
申请号: | 200910224859.X | 申请日: | 2009-11-27 |
公开(公告)号: | CN101800024A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 韩三一;方炫喆 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王青芝;郭鸿禧 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 使用 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种像素,包括:
有机发光二极管,响应于数据信号发光;
伪有机发光二极管,不管数据信号如何而处于非发光状态;
第一晶体管,连接到扫描线和数据线,当扫描信号被提供到扫描线时, 第一晶体管导通;
存储电容器,充入与提供给数据线的数据信号相应的电压;
第二晶体管,将电流从第一电源经有机发光二极管提供给第二电源,其 中,所述电流对应于存储电容器中所充入的电压;
补偿器,连接在有机发光二极管和伪有机发光二极管之间,
其中,补偿器包括第四晶体管、第五晶体管和反馈电容器,第四晶体管、 第五晶体管连接在有机发光二极管和伪有机发光二极管之间,反馈电容器连 接在第二晶体管的栅极与第四晶体管和第五晶体管的节点之间,
所述补偿器根据有机发光二极管的阈值电压和伪有机发光二极管的阈值 电压的差来确定有机发光二极管的阈值电压的变化量,从而根据有机发光二 极管的劣化来改变第二晶体管的栅极的电压。
2.如权利要求1所述的像素,还包括:第三晶体管,连接在第二晶体管 和有机发光二极管之间,至少在提供扫描信号时,第三晶体管截止。
3.如权利要求2所述的像素,其中,第三晶体管连接到发射控制线,其 中,当发射控制信号被提供给发射控制线时,第三晶体管截止。
4.如权利要求3所述的像素,其中,发射控制信号比扫描信号宽,并与 扫描信号重叠。
5.如权利要求1所述的像素,其中,第四晶体管和第五晶体管的导通时 间不重叠。
6.如权利要求5所述的像素,其中,在与数据信号相应的电压被充入存 储电容器中并且有机发光二极管的阈值电压被提供给所述节点的时间段期 间,第四晶体管导通。
7.如权利要求6所述的像素,其中,在第四晶体管截止并且伪有机发光 二极管的阈值电压被提供给所述节点的时间段期间,第五晶体管导通。
8.一种有机发光显示装置,包括:
像素,连接到扫描线和数据线;
扫描驱动器,将扫描信号顺序地提供给扫描线;
数据驱动器,将数据信号提供给数据线,
其中,所述像素中的每一个像素包括:有机发光二极管,响应于数据信 号发光;伪有机发光二极管,不管数据信号如何而处于非发光状态;第一晶 体管,连接到扫描线和数据线,当扫描信号被提供到扫描线时,第一晶体管 导通;存储电容器,充入与提供给数据线的数据信号相应的电压;第二晶体 管,将电流从第一电源经有机发光二极管提供给第二电源,其中,所述电流 对应于存储电容器中所充入的电压;补偿器,连接在有机发光二极管和伪有 机发光二极管之间,补偿器包括第四晶体管、第五晶体管和反馈电容器,第 四晶体管、第五晶体管连接在有机发光二极管和伪有机发光二极管之间,反 馈电容器连接在第二晶体管的栅极与第四晶体管和第五晶体管的节点之间, 所述补偿器根据有机发光二极管的阈值电压和伪有机发光二极管的阈值电压 的差来确定有机发光二极管的阈值电压的变化量,从而根据有机发光二极管 的劣化来改变第二晶体管的栅极的电压。
9.如权利要求8所述的有机发光显示装置,还包括:第三晶体管,连接 在第二晶体管和有机发光二极管之间,至少在扫描信号被提供到扫描线时, 第三晶体管截止。
10.如权利要求9所述的有机发光显示装置,其中,第三晶体管连接到 发射控制线,其中,当发射控制信号被提供给发射控制线时,第三晶体管截 止。
11.如权利要求10所述的有机发光显示装置,其中,扫描驱动器提供比 扫描信号宽的发射控制信号。
12.如权利要求8所述的有机发光显示装置,其中,第四晶体管和第五 晶体管的导通时间不重叠。
13.如权利要求12所述的有机发光显示装置,其中,在与数据信号相应 的电压被充入存储电容器中并且有机发光二极管的阈值电压被提供给所述节 点的时间段期间,第四晶体管导通。
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