[发明专利]发光二极管封装件无效
申请号: | 200910225092.2 | 申请日: | 2009-11-26 |
公开(公告)号: | CN101882662A | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | 柳根昌;鲁载哲 | 申请(专利权)人: | 三星LED株式会社 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L25/16 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;薛义丹 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 | ||
1.一种发光二极管封装件,所述发光二极管封装件包括:
封装体,包括具有容纳空间的凹陷部分和安装在凹陷部分上并被暴露的引线框架;
发光二极管芯片,被安装为电连接到引线框架;
位置指示器,形成在引线框架上并引导发光二极管芯片的安装位置。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述位置指示器包括形成为在引线框架上向内凹进的图案。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述位置指示器形成为距离凹陷部分沿凹陷部分宽度方向的边200μm至270μm。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述位置指示器包括:
第一图案,形成为距离凹陷部分沿凹陷部分宽度方向的边200μm至270μm;
第二图案,形成为距离第一图案600μm至700μm。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述位置指示器包括:
第一图案,形成为距离凹陷部分沿凹陷部分宽度方向的边200μm至270μm;
第二图案,形成为距离凹陷部分沿凹陷部分长度方向的边50μm至100μm。
6.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述位置指示器包括:
第一图案,形成为距离凹陷部分沿凹陷部分宽度方向的边200μm至270μm,并距离凹陷部分沿凹陷部分长度方向的边50μm至100μm;
第二图案,形成为沿凹陷部分的长度方向水平设置在距离第一图案600μm至700μm;
第三图案,形成为沿凹陷部分的宽度方向垂直设置在距离第一图案200μm至250μm;
第四图案,形成为沿凹陷部分的长度方向水平设置在距离第三图案600μm至700μm。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述发光二极管封装件还包括安装在引线框架上并防止静电的齐纳器件。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装件,其中,所述位置指示器包括形成在引线框架上并引导齐纳器件的安装位置的齐纳指示图案。
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