[发明专利]在天线中产生圆极化的紧凑激励组件和形成该组件的方法有效
申请号: | 200910225207.8 | 申请日: | 2009-11-16 |
公开(公告)号: | CN101752632A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | P·博思哈德;P·勒佩尔捷;A·拉塞尔;S·韦里亚克 | 申请(专利权)人: | 泰勒斯公司 |
主分类号: | H01P1/17 | 分类号: | H01P1/17;H01Q15/22 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 法国塞纳*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 天线 产生 极化 紧凑 激励 组件 形成 方法 | ||
1.一种紧凑激励组件,用于在包括双工正交模式转换器OMT和 分支耦合器的天线中产生圆极化,其特征在于,
所述正交模式转换器(21)为非对称的并且包括具有正方形或圆 形横截面和纵轴ZZ’的主波导(22)以及仅两个分支,所述两个分支中 的每一个分别通过仅两个平行耦合狭槽(25、26)其中之一耦合到主 波导(22),
-所述仅两个耦合狭槽(25、26)相隔90°并且制造在波导的壁上,
-所述OMT的仅两个分支分别连接到非平衡分支耦合器(40)的 两个波导(35、36)上,分支耦合器(40)具有两个不同的分配系数α、 β,所述分配系数被优化以补偿由OMT(21)的不对称产生的电场正 交杂散分量δy、δx。
2.根据权利要求1所述的激励组件,其特征在于,耦合狭槽(25、 26)下游的OMT的主波导(22)的横截面小于耦合狭槽(25、26)上 游的OMT的主波导(22)的横截面,横截面的断面形成短路平面。
3.根据权利要求1或2所述的激励组件,其特征在于,OMT(21) 的耦合狭槽(25、26)长度L1、宽度L2,耦合狭槽(25、26)通过离 耦合狭槽(25、26)距离为D1的两个短截线滤波器(27、28)连接到 分支耦合器(40),以及选择距离D1、长度L1和宽度L2以在由OMT 的不对称产生的电场杂散分量δy、δx之间产生正交性。
4.根据权利要求1所述的激励组件,其特征在于,基于如下三个 关系来确定分支耦合器(40)的分配系数α、β:
-α2+β2=1,
其中Ex表示主波导中的水平电场分量,Ey表示主波导中的垂直 电场分量。
5.一种天线,其特征在于,包括至少一个根据前述权利要求任一 项中所述的紧凑激励组件。
6.一种形成紧凑激励组件的方法,该组件用于在天线中产生圆极 化,其特征在于,该方法包括:将具有仅两个分支的不对称OMT正交 模式转换器(21)的每个分支分别通过仅两个平行耦合狭槽(25、26) 其中之一与非平衡分支耦合器(40)相耦合,非平衡分支耦合器(40) 包括两个不同的分配系数α、β,确定OMT(21)的尺寸以在由OMT (21)的不对称产生的两个电场杂散分量δy、δx之间建立相位正交, 并且优化分支耦合器(40)的分配系数α、β,以补偿所述两个电场杂 散分量δy、δx。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,确定OMT的尺寸 包括确定OMT(21)的耦合狭槽(25、26)的长度L1、宽度L2,将 短路平面放置在所述耦合狭槽下游的OMT的主波导中,确定耦合狭槽 (25、26)距离放置在所述耦合狭槽和分支耦合器(40)之间的短截 线滤波器(27、28)的距离D1,选择长度L1和宽度L2以在由OMT 的不对称产生的电场杂散分量δy、δx之间产生正交性。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,基于如下三个 关系来确定分支耦合器(40)的分配系数α、β:
-α2+β2=1,
其中Ex表示主波导中的水平电场分量,Ey表示主波导中的垂直 电场分量。
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