[发明专利]数据储存装置、控制器及于次等级存储器存取数据的方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储器的数据存取技术领域，更具体地说，涉及一种数据储存装置、控制器以及于有关于次等级(downgrade)存储器的数据存取的方法。

背景技术

存储器可分为正常存储器与次等级存储器。存储器包括多个记忆单元以供储存数据。当生产制造商要将存储器出货前，必须先经过生产测试以验证存储器的记忆单元是否可正确地储存数据。若存储器经过测试而无法正确地储存数据，则生产制造商会将无法通过测试的存储器归类为次等级存储器，并以低价出售次等级存储器。亦即，由于半导体生产过程上的误差，导致次等级存储器包括有缺陷的记忆单元，而该等有缺陷的记忆单元无法正常的储存数据。

图1A为次等级存储器一区块150的示意图。次等级存储器包括多个区块(block)，其中区块150包括多个页(page)，每一页又区分为多个扇区(sector)，每一扇区包括多个记忆单元以储存数据。于图1A中可见，第0页的第1扇区包括一有缺陷的记忆单元161，第1页的第2扇区包括一有缺陷的记忆单元162，第2页的第0扇区包括一有缺陷的记忆单元163。由于区块150包括多个有缺陷的记忆单元，因此次等级存储器的习知控制器会将区块150标记为一缺陷区块，进而不使用该缺陷区块150供储存数据。这样便可避免使用区块150时发生无法正确地储存数据的结果。

然而，由于区块150包含多个记忆单元均可正常运作，仅记忆单元161、162、163无法正常储存数据，若采用习知控制器的做法直接不使用整个区块150，将造成存储器储存空间的浪费。因此，需要一种于次等级存储器存取数据的方法，可以利用区块中其它正常运作的记忆单元供数据储存，以增加存储器可运用的储存空间。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种数据储存装置、控制器以及于有关于次等级存储器的数据存取的方法数据储存装置，以解决习知技术存在的问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案之一是：构造一种数据储存装置，耦接至一主机，其包括一次等级(downgrade)存储器以及一控制器。该次等级存储器包括多个区块(block)，每一该等区块包括多个页(page)，每一该等页包括多个扇区(sector)，其中部分该等区块的部分缺陷扇区包括有缺陷的记忆单元。该控制器产生一缺陷状态表以纪录该次等级存储器的该等区块的所有该等缺陷扇区的位置，自该主机接收欲写入该次等级存储器的多个扇区数据，依据该缺陷状态表决定供储存该等扇区数据的多个实体扇区地址，以及依据该等实体扇区地址向该次等级存储器发送一至多个写入命令以将该等扇区数据写入该次等级存储器的该等实体扇区地址。

进一步地，上述本发明所述的数据储存装置，其中该控制器自该次等级存储器取得尚未储存数据的多个空实体扇区地址，依据该缺陷状态表检查该等空实体扇区地址是否与该等缺陷扇区的位置相符合，以及若该等空实体扇区地址与该等缺陷扇区的位置不相符合，决定该等实体扇区地址为该等实体扇区地址，以决定该等实体扇区地址。

进一步地，上述本发明所述的数据储存装置，其中该控制器自该次等级存储器的该等区块选取一待测区块，将一预定数据写入该待测区块，读取该待测区块以得到一读出数据，若该预定数据与该读出数据不相符时比对该预定数据与该读出数据的不相符部分以决定该待测区块的该等缺陷扇区的位置，于该缺陷状态表中纪录该待测区块的该等缺陷扇区的位置，并重复待测区块的选取步骤至缺陷扇区的位置的纪录步骤直至所有该等区块均已被选取为待测区块为止，以产生该缺陷状态表。

进一步地，上述本发明所述的数据储存装置，其中该控制器自该主机接收对应于该等扇区数据的起始地址的一写入逻辑地址，依据该写入逻辑地址决定分别对应于该等扇区数据的多个逻辑扇区地址，于该等扇区数据写入该等实体扇区地址后于一地址链结表中纪录该等逻辑扇区地址与该等实体扇区地址的对应关系。

进一步地，上述本发明所述的数据储存装置，其中当该控制器自该主机接收到欲读取的一读取逻辑地址时，该控制器依据该地址链结表找出对应于该读取逻辑地址的一至多个读取实体扇区地址，并依据该等读取实体扇区地址向该次等级存储器发送一至多个读取命令以将自该次等级存储器读出对应于该读取逻辑地址的数据。

进一步地，上述本发明所述的数据储存装置，其中该等写入命令为序号为0x80的随机写入命令。

进一步地，上述本发明所述的数据储存装置，其中该次等级存储器为闪存。