[发明专利]高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器有效

专利信息
申请号: 200910225371.9 申请日: 2009-11-18
公开(公告)号: CN101728450A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 包西昌;朱龙源;李向阳;兰添翼;赵水平;王妮丽;刘诗嘉 申请(专利权)人: 中国科学院上海技术物理研究所
主分类号: H01L31/09 分类号: H01L31/09;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 郭英
地址: 20008*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 高占空 碲镉汞 长波 红外光 电导 探测器
【权利要求书】:

1.一种高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器,经阳极氧化处理的碲 镉汞材料(12)的带有阳极氧化层(11)的一面镀ZnS抗反膜(10)后通过环 氧树脂胶(9)与蓝宝石衬底(7)相连,其特征在于:所述的探测器的电极是 从蓝宝石衬底(7)的背面引出的,在所述的蓝宝石衬底(7)上芯片列阵所处 的相应位置用激光打出微孔列阵,通过电镀在微孔列阵中填满电镀金(8),对 处理好的碲镉汞材料(12)光刻刻穿碲镉汞,制备出对应的面阵孔,通过阱伸 工艺将碲镉汞与电镀金(8)连在一起后,在蓝宝石衬底(7)背面的微孔列阵 上长芯片铟柱(5),芯片铟柱(5)与电路板上的电路板铟柱(4)互连,将电 信号从探测器衬底的背面引出。

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