[发明专利]高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器有效
申请号: | 200910225371.9 | 申请日: | 2009-11-18 |
公开(公告)号: | CN101728450A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 包西昌;朱龙源;李向阳;兰添翼;赵水平;王妮丽;刘诗嘉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 高占空 碲镉汞 长波 红外光 电导 探测器 | ||
1.一种高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器,经阳极氧化处理的碲 镉汞材料(12)的带有阳极氧化层(11)的一面镀ZnS抗反膜(10)后通过环 氧树脂胶(9)与蓝宝石衬底(7)相连,其特征在于:所述的探测器的电极是 从蓝宝石衬底(7)的背面引出的,在所述的蓝宝石衬底(7)上芯片列阵所处 的相应位置用激光打出微孔列阵,通过电镀在微孔列阵中填满电镀金(8),对 处理好的碲镉汞材料(12)光刻刻穿碲镉汞,制备出对应的面阵孔,通过阱伸 工艺将碲镉汞与电镀金(8)连在一起后,在蓝宝石衬底(7)背面的微孔列阵 上长芯片铟柱(5),芯片铟柱(5)与电路板上的电路板铟柱(4)互连,将电 信号从探测器衬底的背面引出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海技术物理研究所,未经中国科学院上海技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910225371.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种锂电池正极材料及其制备方法
- 下一篇:类钻碳电子装置及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的