[发明专利]快闪存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种快闪存储器件，包括：

在其中限定有源极板和位线区的半导体衬底上形成的器件隔离层和有源区；

在所述位线区的有源区上方形成的存储栅极；

在包括所述存储栅极的所述半导体衬底上形成的控制栅极；

位于所述控制栅极各侧的共用源极区和漏极区，所述共用源极区和漏极区与所述有源区交叉；和

在所述源极板的所述有源区处在所述半导体衬底的所述共用源极区上方形成的共用源极线接触；

其中所述源极板的有源区形成为具有与所述位线区的有源区相同的间隔，并且其中所述控制栅极形成为与所述源极板和位于所述源极板两侧的所述位线区交叉。

2.根据权利要求1所述的快闪存储器件，其中所述源极板包括至少两个有源区，并且其中所述控制栅极与所述至少两个有源区交叉，所述快闪存储器件还包括：

字线接触，该字线接触形成为在所述源极板的一个有源区上方与所述控制栅极接触。

3.根据权利要求2所述的快闪存储器件，其中所述共用源极线接触形成在所述至少两个有源区中的所述源极板与所述共用源极区相交的有源区上，所述共用源极线接触形成在与所述源极板中形成有所述字线接触的一个有源区不同的有源区的上方，

其中所述控制栅极沿同一字线形成为多个控制栅极，所述快闪存储器件还包括：

金属配线，该金属配线形成在所述字线接触上，用于向沿所述相同字线布置的所有控制栅极同时施加电压。

4.根据权利要求1所述的快闪存储器件，其中所述控制栅极根据字线形成为多个控制栅极，其中所述控制栅极平行设置并且被所述共用源极区和所述漏极区隔开，其中相邻的平行控制栅极只交叠一个相同的位线区并同时分别与一个源极板和两个位线区交叉。

5.根据权利要求1所述的快闪存储器件，其中所述控制栅极沿单个字线方向形成为多个控制栅极，所述快闪存储器件还包括在沿所述单个字线方向形成的所述多个控制栅极中的每个控制栅极上形成的字线接触。

6.一种制造快闪存储器件的方法，包括：

通过在其中限定有源极板和位线区的半导体衬底上形成器件隔离层来限定有源区；

在所述位线区的有源区上方形成存储栅极；

在包括所述存储栅极的所述半导体衬底上形成控制栅极；

在所述控制栅极各侧处在所述半导体衬底上形成共用源极区和漏极区，所述共用源极区和漏极区与所述有源区交叉；和

在所述源极板的有源区处在所述半导体衬底的共用源极区上方形成共用源极线接触；

其中所述源极板的有源区形成为具有与所述位线区的有源区相同的间隔，并且其中所述控制栅极形成为与所述源极板以及位于所述源极板两侧的所述位线区交叉。

7.根据权利要求6所述的快闪存储器件的制造方法，其中所述源极板包括至少两个有源区，并且其中所述控制栅极与所述至少两个有源区交叉，所述制造方法还包括：

在所述源极板的一个有源区上方形成与所述控制栅极接触的字线接触。

8.根据权利要求7所述的快闪存储器件的制造方法，其中所述共用源极线接触形成在所述至少两个有源区中的所述源极板与所述共用源极区相交的有源区上，所述共用源极线接触形成在与所述源极板中形成有所述字线接触的一个有源区不同的有源区的上方。

9.根据权利要求8所述的快闪存储器件的制造方法，其中所述控制栅极沿相同字线形成为多个控制栅极，所述制造方法还包括：

在所述字线接触上形成用于向位于同一字线上的所有控制栅极同时施加电压的金属配线。

10.根据权利要求6所述的快闪存储器件的制造方法，其中形成所述控制栅极包括：根据字线形成多个控制栅极，使得所述控制栅极平行设置并且被所述共用源极区和所述漏极区隔开，其中相邻的平行控制栅极只交叠一个相同的位线区并同时分别与一个源极板和两个位线区交叉。