[发明专利]溢流槽材料脱气有效
申请号: | 200910225830.3 | 申请日: | 2009-11-24 |
公开(公告)号: | CN101774749A | 公开(公告)日: | 2010-07-14 |
发明(设计)人: | D·J·利布奈 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | C03B5/16 | 分类号: | C03B5/16 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 沙永生;周承泽 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溢流 材料 脱气 | ||
本申请要求2008年11月24日提交的美国专利申请第61/117267号的优 先权。
技术领域
本申请涉及制造玻璃的方法。具体地说,本发明涉及制造玻璃的方法,其 中,玻璃熔体必须接触初始脱气的耐火体。本发明适用于例如用作LCD玻璃基 板的光学玻璃板的熔合成形中。
背景技术
在制造玻璃制品的方法(包括浮法、狭缝拉制法、压制法、轧制法等)中, 玻璃材料通常首先熔融,任选进行澄清和均化,然后递送至成形装置成形为需 要的形状,然后冷却。在熔融、澄清、均化、递送和成形期间,通常使用包含 耐火材料的设备或容器处理玻璃熔体。这些耐火材料包含陶瓷材料等,例如锆 石基陶瓷、氧化锆基陶瓷、钛酸铝基陶瓷、其他氧化物基陶瓷、贵金属等。许 多这些材料通过颗粒烧结制造,颗粒烧结会导致在最终产品中形成和存在空隙 与晶界缝隙,这些空隙和晶界缝隙会捕集气体例如空气。而且,将耐火材料第 一次安装在玻璃制造系统中时,耐火材料的表面会吸附/吸收一定量的气体。 在玻璃生产周期的初始阶段期间,当耐火材料的表面接触玻璃熔体时,气体会 进入玻璃熔体形成不利的缺陷。对于光学玻璃产品例如用于LCD显示器的玻璃 基板,玻璃中气泡的容许水平非常低。因此,在玻璃生产周期的初始阶段期间, 通常因为不符合品质要求而不得不丢弃或再循环玻璃产品。这种受到耐火材料 脱气影响的生产周期第一阶段称为“脱气阶段”。毋庸置言,脱气阶段对玻璃 制造系统的产量和生产率具有明显影响。
在所有可用于制造适用于LCD显示器基板的玻璃薄板的玻璃制造方法中, 康宁有限公司(Corning Incorporated)(美国纽约州康宁(Corning,New York, U.S.A.))开发和改进的熔合拉制法是优选的方法,原因在于产品的高表面品 质、一致厚度和其他物理性质,不需要进一步的下游表面研磨或抛光步骤,等 等。美国专利第3338696和3682609号中描述了熔合法,其内容通过参考结合 于此。
与其他玻璃制造方法一样,在熔合法中,在玻璃熔融、递送、均化和成形 步骤期间使玻璃熔体接触初始脱气的耐火材料。具体地说,在成形步骤期间, 成形设备(称为“溢流槽”)具有较大表面积,玻璃熔体必须在该表面积上流过 然后在该设备根部成形为玻璃板。在生产周期期间对溢流槽材料进行初始脱 气,可能在其内部捕集气体,导致在玻璃板中形成气泡。在通常的玻璃熔融条 件下,脱气阶段可能长达几个月,这是非常不利的。
因此,的确需要缩短玻璃制造过程期间的脱气阶段。本发明满足了这个需 求。
发明内容
本发明提供一种制造玻璃制品的方法,该方法包括使玻璃熔体与初始脱气 的耐火体的表面接触,包括在正常操作阶段(normal operation phase)之前的 脱气阶段,其中:(i)在脱气阶段期间,接触耐火体的玻璃熔体的平均粘度为 η1,(ii)在正常操作阶段期间,接触耐火体的玻璃熔体的平均粘度为η2,并 且(iii)η2/η1的比值至少为1.05,在一些实施方式中至少为1.10,在一些 实施方式中至少为1.20,在一些实施方式中至少为1.30,在一些实施方式中 至少为1.40,在一些实施方式中至少为1.50,在一些实施方式中至少为1.60, 在一些实施方式中至少为1.70,在一些实施方式中至少为1.80,在一些实施 方式中至少为1.90,在一些实施方式中至少为2.00。
在本发明方法的一些实施方式中,接触玻璃熔体的耐火体包含陶瓷。
在本发明方法的一些实施方式中,接触玻璃熔体的耐火体包含选自以下的 陶瓷:锆石、氧化锆、YPO4、Al2O3、SiO2、SiC、SiN,以及它们的组合和混合 物。
在本发明方法的一些实施方式中,该方法包括用于制造玻璃板的熔合下拉 法,耐火体包括溢流槽。
在本发明方法的一些实施方式中,脱气阶段的持续时间足以使玻璃熔体覆 盖在正常操作阶段期间将接触玻璃熔体的耐火体表面的所有面积。
在本发明方法的一些实施方式中,脱气阶段包括使溢流槽相对于正常操作 阶段期间的位置倾斜的步骤,倾斜角为θ,-5°≤θ≤5°。在本发明方法的一 些实施方式中,-5°≤θ≤3°。在本发明方法的一些实施方式中,脱气阶段包 括第一倾斜步骤,其中-5°≤θ≤0°,以及第二倾斜步骤,其中0<θ≤5°。
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