[发明专利]高可靠度及长使用期的交流发光二极管装置无效

专利信息
申请号: 200910225912.8 申请日: 2009-11-23
公开(公告)号: CN102072418A 公开(公告)日: 2011-05-25
发明(设计)人: 蓝培轩;杨仁华 申请(专利权)人: 福华电子股份有限公司
主分类号: F21S2/00 分类号: F21S2/00;F21V23/00;H05B37/02;H02M7/08;H01L25/075;F21Y101/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 梁爱荣
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 可靠 使用期 交流 发光二极管 装置
【说明书】:

技术领域

发明关于一种发光二极管装置,尤指一种适用于交流电源的高可靠度及长使用期的交流发光二极管装置。

背景技术

随着发光二极管应用的日趋普及,目前业界已发展出适合交流电源使用的交流发光二极管(AC LED)。交流发光二极管可直接使用市电所提供的交流电源,已有效解决发光二极管无法直接在交流电源下使用的问题。然而,目前交流发光二极管于工艺中仍存在有需要改进的课题。例如,交流发光二极管的逆向偏压,将造成发光二极管产生逆向高压漏电流。

现有的交流发光二极管,主要是采用桥式整流的架构进行设计,例如图1所示的交流发光二极管。如图所示,当交流电源10处于正周期时,发光二极管区段a、e、c将被导通,此时发光二极管区段b、d是承受逆向偏压;当交流电源10处于负周期时,发光二极管区段b、e、d将被导通,此时发光二极管区段a、c是承受逆向偏压。因此,在此一架构中,发光二极管区段a、c、b、d是交替承受逆向偏压。当发光二极管所承受的逆向偏压过大时,便会产生高逆向偏压漏电流,此一现象将导致发光二极管芯片的击穿现象,或使整体发光寿命、可靠度产生不稳定的影响。

其次,现有交流发光二极管的发光二极管区段并非同时点亮,例如交流电源10处于正周期时,仅发光二极管区段a、e、c导通点亮,交流电源10处于负周期时,仅发光二极管区段b、e、d导通点亮。因此,现有交流发光二极管的架构只能有2/3的发光二极管区段被点亮,且由于现有交流发光二极管的发光二极管区段为交替导通,而将有明暗的变化而产生光源闪烁的现象。是故,确实有必要针对这些问题进行改善。

发明内容

有鉴于此,本发明提供一种交流发光二极管装置,以克服桥式架构的发光二极管芯片所产生的逆偏高压崩溃漏电流现象及光源闪烁的现象。

本发明所提供的高可靠度及长使用期的交流发光二极管装置包括:一发光二极管组,由多个串接的发光二极管微芯片所组成,包含有一阳极及一阴极;一整流二极管组,包括第一、第二、第三及第四整流二极管,该第一整流二极管的阴极连接该第二整流二极管的阴极及该发光二极管组的阳极,该第二整流二极管的阳极连接该第三整流二极管的阴极,该第三整流二极管的阳极连接该第四整流二极管的阳极及该发光二极管组的阴极,该第四整流二极管的阴极连接该第一整流二极管的阳极;以及一交流电源,其电性连接至该整流二极管组的该第一整流二极管的阳极及该第三整流二极管的阴极;其中,该交流电源包含有一正周期电源及一负周期电源,该整流二极管组为致使该发光二极管组于该正周期电源及该负周期电源均被导通。

附图说明

图1为现有交流发光二极管架构图。

图2为本发明一较佳实施例的示意图。

图3为本发明一较佳实施例的架构图。

图4A为本发明一较佳实施例的发光二极管微芯片的非矩阵排列示意图。

图4B为本发明一较佳实施例的发光二极管微芯片的矩阵排列示意图。

图5为本发明一较佳实施例的支架固晶打线示意图。

【主要元件符号说明】

10,20      交流电源            a~e          发光二极管区段

21          整流二极管组        22            发光二极管组

211~214    整流二极管          211a~214a    整流二极管阳极

211b~214b  整流二极管阴极      2201~2248    发光二极管微芯片

22a         发光二极管组阳极    22b           发光二极管组阴极

3           封装芯片            31            支架

32          封胶                51            芯片

具体实施方式

请一并参考图2及图3,图2是本发明一较佳实施例的示意图,图3是本发明一较佳实施例的系统架构图。如图所示,本发明的高可靠度及长使用期的交流发光二极管装置包括一整流二极管组21、一发光二极管组22、及一交流电源20。发光二极管组22由多个串接的发光二极管微芯片所组成,其较佳地包含48个串接的发光二极管微芯片2201~2248,该48个发光二极管微芯片2201~2248制作在一芯片51内。如图4所示,该这些发光二极管微芯片2201~2248的布局为非矩阵式排列(图4A)、或矩阵式排列(图4B)。

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