[发明专利]半导体装置的配线结构及形成配线结构的方法

权利要求书

1.一种配线结构，包括：

接触焊盘，电连接到基板的接触区域；

接触插塞，设置在所述接触焊盘上并电连接到所述接触焊盘；

间隔物，面对所述接触焊盘的上部侧表面和所述接触插塞的侧壁；

具有开口的绝缘中间层图案，所述接触插塞和所述间隔物设置在所述开口中。

2.如权利要求1所述的配线结构，其中所述开口的下部的宽度大于所述接触焊盘的上表面的宽度。

3.如权利要求1所述的配线结构，其中所述接触焊盘邻近电容器的接触焊盘，所述电容器的接触焊盘电连接到所述基板的所述接触区域。

4.如权利要求1所述的配线结构，其中所述间隔物围绕所述接触焊盘的上部侧壁，并且所述间隔物包括氮化硅或氮氧化硅。

5.如权利要求1所述的配线结构，还包括电连接到所述接触插塞的位线。

6.一种形成半导体装置的配线结构的方法，包括：

制备基板，在该基板上形成绝缘中间层以覆盖接触焊盘，该接触焊盘电连接到所述基板的接触区域；

图案化所述绝缘中间层以形成具有开口的绝缘中间层图案，所述开口暴露所述接触焊盘的上表面和上部侧表面；

在所述绝缘中间层图案的所述开口的侧壁上形成间隔物，所述间隔物面对所述接触焊盘的所述上部侧表面；以及

在形成有所述间隔物的所述开口中形成接触插塞，所述接触插塞电连接到所述接触焊盘。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述开口的下部形成为具有比所述接触焊盘的所述上表面的宽度大10至30nm的宽度。

8.如权利要求6所述的方法，其中形成所述间隔物包括：

采用氮化硅或氮氧化硅形成间隔物层；以及

蚀刻所述间隔物层直到暴露所述接触焊盘的表面，以形成所述间隔物。

9.一种形成半导体装置的配线结构的方法，包括：

形成具有第一开口的第一绝缘中间层图案，所述第一开口暴露基板的接触区域；

在所述第一绝缘中间层图案的所述第一开口中形成第一接触焊盘和第二接触焊盘；

形成第二绝缘中间层以覆盖所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘；

图案化所述第二绝缘中间层，以形成具有初始开口的第二绝缘中间层图案，所述初始开口暴露所述第一接触焊盘的上表面和所述第一绝缘中间层图案的部分表面；

蚀刻所述第一绝缘中间层图案通过所述初始开口暴露的上部，以形成暴露所述第一接触焊盘的上表面和上部侧表面的开口；

在所述第一绝缘中间层图案和所述第二绝缘中间层图案的开口的侧壁上形成间隔物，所述间隔物面对所述第一接触焊盘的上部侧表面；以及

在形成有所述间隔物的所述开口中形成具有接触插塞的位线结构。