[发明专利]集成电路晶体管无效
| 申请号： | 200910226060.4 | 申请日： | 2009-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN101740628A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘骏;A·拉特纳库玛尔;相奇;董晓琪 | 申请（专利权）人： | 阿尔特拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 鄷迅;郑菊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属-氧化物-半导体晶体管，包括：
栅极导体，具有两个横向间隔的边缘栅极导体和位于所述两个边缘栅极导体之间的中心栅极导体。
2.根据权利要求1所述的金属-氧化物-半导体晶体管，其中所述晶体管进一步包括衬底部分、在衬底部分上形成的栅极绝缘体、和邻近所述栅极绝缘体的源极注入区和漏极注入区，并且其中所述栅极导体形成在所述源极注入区和漏极注入区之间的栅极绝缘体上。
3.根据权利要求2所述的金属-氧化物-半导体晶体管，其中所述边缘栅极导体包括第一金属，其中所述中心栅极导体包括第二金属，以及其中所述第一金属和第二金属具有不同的功函数。
4.根据权利要求2所述的金属-氧化物-半导体晶体管，进一步包括口袋式注入，该口袋式注入使得所述源极注入区和漏极注入区与位于所述栅极绝缘体下面的沟道区分隔开。
5.根据权利要求2所述的金属-氧化物-半导体晶体管，其中所述栅极绝缘体包括从下列材料构成的组中选择的电介质：硅酸铪、二氧化铪、硅酸锆和二氧化锆。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿尔特拉公司，未经阿尔特拉公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910226060.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种水性木器漆旋风分散装置
- 下一篇：泡椒凤爪用压碎机
- 同类专利
- 专利分类
