[发明专利]刻蚀工艺的监控方法和监控系统

权利要求书

1.一种刻蚀工艺的监控方法，其特征在于，包括步骤：

获取刻蚀机台的空闲时间；

设定两个特定时间，其中第一特定时间小于第二特定时间；

当空闲时间小于第一特定时间且连续刻蚀晶片数量大于预定量时，或当空闲时间大于第二特定时间，则对一模拟片进行刻蚀、切片测量，合格后进行晶片的刻蚀，不合格则对刻蚀参数进行调整并再次对模拟片进行刻蚀、切片测量至合格；

当空闲时间大于第一特定时间且小于第二特定时间，则刻蚀模拟片从而保持机台处于持续工作状态。

2.根据权利要求1所述的监控方法，其特征在于，进一步包括步骤：

设定第三特定时间，所述第三特定时间大于第一特定时间且小于第二特定时间。

3.根据权利要求2所述的监控方法，其特征在于，当空闲时间大于第一特定时间且小于第三特定时间，则刻蚀第一数量的模拟片从而保持机台处于持续工作状态。

4.根据权利要求3所述的监控方法，其特征在于，当空闲时间大于第三特定时间且小于第二特定时间，则刻蚀第二数量的模拟片从而保持机台处于持续工作状态。

5.根据权利要求4所述的监控方法，其特征在于，所述第二数量为第一数量的两倍。

6.一种刻蚀工艺的监控系统，其特征在于，包括：

刻蚀基台；

空闲时间获取装置，用于获取刻蚀基台的空闲时间；

特定时间设置装置，用于设定两个特定时间，其中第一特定时间小于第二特定时间；

空闲时间比较装置，用于对空闲时间和第一特定时间，空闲时间和第二特定时间进行比较，当空闲时间小于第一特定时间且刻蚀基台连续刻蚀晶片数量大于预定量时，或当空闲时间大于第二特定时间，则刻蚀基台对一模拟片进行刻蚀、切片测量，合格后进行晶片的刻蚀，不合格则对刻蚀基台的刻蚀参数进行调整并再次对模拟片进行刻蚀、切片测量至合格；

当空闲时间大于第一特定时间且小于第二特定时间，则刻蚀基台刻蚀模拟片从而保持机台处于持续工作状态。

7.根据权利要求6所述的刻蚀工艺的监控系统，其特征在于，所述特定时间设置装置还用于设定第三特定时间，所述第三特定时间大于第一特定时间且小于第二特定时间。

8.根据权利要求7所述的刻蚀工艺的监控系统，其特征在于，所述空闲时间比较装置还用于比较空闲时间和第三特定时间，当空闲时间大于第一特定时间且小于第三特定时间，则刻蚀基台刻蚀第一数量的模拟片从而保持机台处于持续工作状态。

9.根据权利要求8所述的刻蚀工艺的监控系统，其特征在于，当空闲时间大于第三特定时间且小于第二特定时间，则刻蚀基台刻蚀第二数量的模拟片从而保持刻蚀机台处于持续工作状态。

10.根据权利要求9所述的刻蚀工艺的监控系统，其特征在于，所述第二数量为第一数量的两倍。