[发明专利]制造薄膜太阳能电池的硅基薄膜沉积方法

权利要求书

1.一种制造薄膜太阳能电池的硅基薄膜沉积方法，为采用优化高密度等离 子增强化学气相沉积工艺在基片或TCO层上沉积非晶硅或微晶硅薄膜，所述基片 为不锈钢基片或玻璃基片、常规高分子基片，TCO为透明导电氧化物膜，其特征 是，该方法的工艺步骤为：

(1)对不锈钢基片或玻璃基片的清洗工艺分两步进行：

第一步，用体积比HCl∶H₂O₂∶H₂O＝10∶0.8-1.2∶48-52的溶液在60℃- 70℃清洗5分钟-10分钟；

第二步，用体积比NH₄OH∶H₂O₂∶H₂O＝10∶0.8-1.2∶48-52的溶液在60 ℃-70℃清洗5分钟-10分钟；最后用水清洗干净；

常规高分子基片、TCO层不需清洗；

(2)基片或TCO层表面处理：使用表面等离子处理或用浓度为0.2％-0.6％的 氢氟酸或盐酸浅度刻蚀，形成中部较低而周边较高的U型表面，以避免在沉积的 非晶硅或微晶硅中形成气孔，空洞和间隙；

(3)先镀上微晶成核层：使用13.6千赫兹-40千赫兹及射频功率为400- 800W的高频高能量等离子，H₂/SiH₄体积流量比为H₂/SiH₄＝100/1-10/1，在温度 350℃-400℃和沉积室气压2pa-5pa条件下，在基片表面形成一层薄的微晶成 核层；

(4)以下优化的工艺条件制备高质量的微晶硅薄膜或非晶硅薄膜：

a.微晶硅薄膜的沉积：等离子射频功率400W-800W、射频频率为13.6千 赫兹-40千赫兹，H₂/SiH₄体积流量比为H₂/SiH₄＝(20-90)/1，沉积室气压3pa- 12pa；

b.非晶硅薄膜的沉积条件为：等离子射频频率13.6千赫兹-20千赫兹、射 频功率50W-300W，H₂或He/SiH₄体积流量比为H₂或He/SiH₄＝10/1-2/1，温度 200℃-350℃，沉积室气压100pa-1000pa。