[发明专利]湘芋免培土栽植法

说明书

技术领域

本发明属于农业种植栽培技术领域，尤其与免培土栽植法关。

背景技术

目前，湘芋的栽植方法采用的是中期培土种植法，具体是先湘芋种子块茎种植在翻耕平整的土地中，待出苗后于苗间挖穴或施肥，待芋苗生长一段时间后，在芋苗周围用铁锄或铁锹等农具培土，增加芋苗周围的土层，利于芋头块茎生长，使块茎个头增大，数量增多。但这样的栽植法需要多次劳作，人工耗费量大，施肥、培土时容易伤害芋苗叶柄和叶子，甚至可能断苗，影响芋头产量。

发明内容

本发明要解决的技术问题和提出的技术任务就是要克服现有湘芋栽植技术存在的人工耗费量大，施肥、培土时容易伤害芋苗叶柄和叶子等缺陷，提供一种省时省力，免培土并能大幅增产的湘芋栽植方法。为此，本发明采用以下技术方案：

湘芋免培土栽植法，包括深耕并平整泥地，其特征在于：先在平整的泥地上挖出一条宽度和深度都是7～10厘米的施肥坑，铺上与施肥坑相当深度的粪肥，在粪肥上铺一层不大于3厘米厚的草木灰，然后以施肥坑为中轴堆起高20～30厘米的土垄，在土垄顶部挖出一条深15～20厘米、宽不大于10厘米的埋种坑，将湘芋种子块茎置于埋种坑底部，最后在芋头块茎上覆盖薄薄的一层细泥。

作为对上述技术方案的进一步完善和补充，本发明还包括以下附加技术特征：

所述的土垄顶部宽度为20～25厘米，两侧仰角为60～70度。

所述的覆盖于种子块茎上的细泥层厚度为离种子块茎顶部2～5厘米，方便芋苗出土。待芋苗出土后，土垄顶部的泥土不断遭受雨淋，会慢慢填满芋苗周围留下的埋种坑空隙，达到增厚泥层的效果。

所述的土垄间距为40～50厘米。

所述的种子块茎在同一条土垄上的间距为40～50厘米。

本发明利用在埋植湘芋种子块茎前堆起土垄的方法代替芋苗生长中期培土的方法来增加芋苗周围的土层，可以避免芋苗生长中期培土对芋苗造成的伤害；由于土垄高于泥地平面，并较为疏松，种子块茎位于土垄内高于泥地平面，可以避免雨水浸泡，在天气大旱时可以大面积灌水快速增湿。用预埋肥料的方法代替芋苗生长中期施肥的方法，可以通过肥料的缓释过程，使芋苗的整个生长周期都有充足的养分，利于块茎的生长，增大块茎个头，增加块茎数量，并减少施肥的人工劳作次数，降低人工耗费量。

使用本发明的方法可以达到以下有益效果：人工耗费量比现有栽植方法至少降低三分之一，亩产比现有栽植方法至少可以提高二分之一。

附图说明

图1是本发明湘芋种子块茎栽植位置示意图

图2是芋苗出土后的状态示意图

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细的描述。

如图1所示，是本发明湘芋种子块茎栽植位置示意图，其栽植的过程是：先将泥地1深耕并平整，在平整的泥地1上挖出一条宽度和深度都是10厘米的施肥坑2，铺上与施肥坑2相当深度的粪肥3，在粪肥3上铺一层3厘米厚的草木灰4；然后以施肥坑3为中轴堆起高25厘米的土垄5，土垄5的顶部宽20厘米，两侧呈65度仰角的斜坡，在土垄5的顶部挖出一条深18厘米、宽10厘米的埋种坑6，将芋头种子块茎7置于埋种坑6底部，最后在种子块茎7上覆盖一层细泥8，细泥8厚度为离种子块茎7的顶部5厘米。土垄5的中心间距为50厘米，同一条土垄上的种子块茎间距为50厘米，一亩地的植株在2600左右。

如图2所示，是芋苗出土后的状态示意图。种子块茎经发芽，长出芋苗10和芋根9，芋根9往下逐渐长入土垄5下的泥地层，也长入草木灰层和粪肥层，吸收养分，支持芋苗10向上长出细泥层。芋苗10逐渐长粗长高，逐渐挤占埋种坑6经覆盖细泥8后留下的空隙，土垄5顶部的泥土不断遭受雨淋，也慢慢流入并填满埋种坑6中的空隙，增加种子块茎7和芋苗10周围的土层厚度，利于种子块茎分裂长出新的块茎，也利于对芋苗10起保持作用，减少芋苗10的折断。新的块茎有长入泥地1里的，也有在土垄5里长的。