[发明专利]丘陵状双弧形栅阴控结构的平板显示器及其制作工艺无效
申请号: | 200910227348.3 | 申请日: | 2009-12-08 |
公开(公告)号: | CN101728189A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 李玉魁 | 申请(专利权)人: | 中原工学院 |
主分类号: | H01J31/12 | 分类号: | H01J31/12;H01J29/02;H01J9/00;H01J9/02 |
代理公司: | 郑州科维专利代理有限公司 41102 | 代理人: | 亢志民 |
地址: | 451191 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 丘陵 弧形 栅阴控 结构 平板 显示器 及其 制作 工艺 | ||
技术领域
本发明属于平板显示技术领域、纳米科学与技术领域和真空科学与技术领 域的相互交叉领域,涉及到平板场致发射显示器的器件制作,具体涉及到碳纳 米管阴极的平板场致发射显示器的器件制作,特别涉及一种丘陵状双弧形栅阴 控结构的平板显示器及其制作工艺。
背景技术
场致发射显示器是最类似于传统CRT显示器的新兴平面显示技术,其发光 原理与CRT显示器的相同,都是用高速电子轰击荧光粉而发出可见光,因此场 致发射显示器保留了CRT显示器高图像质量的优越之处。场致发射显示器是自 发光器件,具有宽的工作温区,极快的响应速度,再加之类似于液晶显示器的 超薄型以及等离子体显示器的大面积性,使得场致发射显示器已经被公认为是 下一代理想的显示技术市场产品。碳纳米管是一种新兴的电子源材料,能够在 较低的工作电压下发射出大量电子;碳纳米管是一种理想的阴极制作材料,它 的加盟使得场致发射显示器的研究得到了突飞猛进的发展。
所谓的三极管结构类型的碳纳米管阴极场致发射显示器,就是有阴极、栅 极和阳极三个电极;从理论上来说,由于栅极和阴极之间的距离很小,因此所 需要的栅极电压也就很低,这样能够极大的降低整体器件的制作成本。但是目 前所研发的三极结构场致发射显示器,对于栅极的制作材料、制作工艺等,都 存在着一定的限制因素,其结果就是导致栅极工作电压偏高,这不仅不符合栅 极结构加入的初衷,也违背了低压平板器件的原则,同时再加之器件的制作成 本居高不下,整体器件制作工艺复杂等因素的干扰,使得场致发射显示器的研 发进程出现了阻碍。此外,对于整体平板显示器件的制作,制作工艺简单、制 作过程稳定可靠也是不可忽视的一个重要方面。
发明内容
本发明的目的在于克服上述平板显示器件中存在的缺点和不足而提供一种 成本低廉、制作工艺简单、制作过程稳定可靠的丘陵状双弧形栅阴控结构的平 板显示器及其制作工艺。
本发明的目的是这样实现的:
一种丘陵状双弧形栅阴控结构的平板显示器,包括由阴极玻璃面板1、阳极 玻璃面板18和玻璃边框16所构成的密封真空室;设置在阳极玻璃面板上的阳 极传导层19、阳极引线层21、阳极隔离层17以及制备在阳极传导层上面的荧 光粉层20;位于阳极玻璃面板和阴极玻璃面板之间的分隔支撑器15以及消气剂 14;其特征在于:
所述的丘陵状双弧形栅阴控结构的基底材料为阴极玻璃面板;在阴极玻璃 面板上印刷并烧结的绝缘浆料形成阴极阻挡层2;阴极阻挡层上面存在阴极传导 层3;阴极传导层为条形形状;阴极传导层周围存在阴极引线层4,阴极引线层 和阴极传导层是相互连通的;阴极传导层上面存在阴极提升层5;阴极提升层的 下表面为平面,和阴极传导层相接触,阴极提升层上表面呈现向内凹陷的弧形 形状;阴极提升层上面存在阴极过渡层6,阴极过渡层位于阴极提升层的向内凹 陷弧形表面,呈现圆环形状,其上边缘与阴极提升层上表面边缘相平齐,向内 凹陷弧形阴极提升层的底部不存在阴极过渡层;阴极过渡层上面存在阴极牺牲 层7,阴极牺牲层布满阴极过渡层的表面;阴极传导层上面印刷并烧结的绝缘浆 料形成栅阴绝缘一层8;栅阴绝缘一层的上下表面均为平面,其下表面和阴极传 导层相接触,其上表面与阴极提升层的上表面相平齐;栅阴绝缘一层中存在电 子束孔,暴露出底部的阴极传导层、阴极提升层、阴极过渡层和阴极牺牲层; 栅阴绝缘一层中电子束孔侧壁是垂直于阴极传导层表面的;栅阴绝缘一层上面 印刷并烧结的绝缘浆料形成栅阴绝缘二层9;栅阴绝缘二层的下表面为平面,和 栅阴绝缘一层的上表面相接触,栅阴绝缘二层的上表面为向上凸起的弧形形状; 栅阴绝缘二层上面存在栅极传导层10,栅极传导层布满栅阴绝缘二层的上表面, 其前端延伸到栅阴绝缘一层中的电子束孔中,呈现悬空状态;栅极传导层周围 存在栅极引线层11,栅极引线层和栅极传导层是相互连通的;栅极传导层上面 印刷并烧结的绝缘浆料形成栅阴绝缘三层12;栅阴绝缘三层覆盖住栅极传导层 和栅极引线层;碳纳米管13制备在阴极牺牲层上面。
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