[发明专利]一种MEMS非制冷双波段红外探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 200910228000.6 | 申请日： | 2009-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101713688A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 胥超;徐永青 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01J5/22 | 分类号： | G01J5/22;G01J5/02;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 河北省石家庄市中国*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 制冷 波段 红外探测器 及其 制备 方法 | ||
1.一种MEMS非制冷双波段红外探测器，其包括硅衬底(1)、底层电极(2)、锚固于硅衬底(1)上的微桥结构，其特征在于：还包括位于微桥结构与硅衬底(1)形成的空腔内并锚固于底层电极(2)两侧、硅衬底(1)上的桥式可控反射层(6)；所述的桥式可控反射层(6)借助起支撑作用的锚点(5)和设置于桥式可控反射层(6)与底层电极(2)之间的静电驱动实现上下调节。
2.根据权利要求1所述的一种MEMS非制冷双波段红外探测器，其特征在于：所述的桥式可控反射层(6)下方设有防止其下调时与底层电极(2)接触而使静电驱动消失的介质凸点(4)，介质凸点(4)位于底层电极(2)上，厚度为200nm-500nm。
3.根据权利要求2所述的一种MEMS非制冷双波段红外探测器，其特征在于：所述的桥式可控反射层(6)与微桥结构中的热敏电阻薄膜(9)形成腔长L为1μm-2.5μm的共振吸收腔(7)。
4.根据权利要求1所述的一种MEMS非制冷双波段红外探测器，其特征在于：所述的微桥结构包括下端电极(3)，上端电极(11)，金属柱(13)，由支撑层(8)、热敏电阻薄膜(9)、红外吸收层(10)和保护层(12)组成的桥面主体。
5.一种如权利要求1所述的MEMS非制冷双波段红外探测器的制备方法，包括如下工艺步骤：
1)采用光刻剥离的方法在硅衬底上制备底层电极(2)和下端电极(3)；
2)旋涂牺牲层(14)，依次淀积微桥结构的支撑层(8)、热敏电阻薄膜(9)，溅射红外吸收层(10)及上端电极(11)，淀积保护层(12)；
3)刻蚀连接上端电极(11)与下端电极(3)的通孔并制备金属柱(13)，去除牺牲层(14)形成完整的微桥结构；
其特征在于：所述步骤1)和步骤2)之间增加如下工艺步骤：
A1、在底层电极(2)上生长介质凸点(4)；
A2、旋涂牺牲层(14)并固化后，采用光刻、腐蚀工艺制备桥式可控反射层(6)及其锚点(5)；
A3、在桥式可控反射层(6)和底层电极(2)之间引入静电驱动。
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