[发明专利]一种高精度迟滞比较器电路及其工作方法无效

专利信息
申请号: 200910228741.4 申请日: 2009-11-25
公开(公告)号: CN101783661A 公开(公告)日: 2010-07-21
发明(设计)人: 林鹏程;戴宇杰;吕英杰;张小兴 申请(专利权)人: 天津南大强芯半导体芯片设计有限公司
主分类号: H03K5/22 分类号: H03K5/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300457 天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 高精度 迟滞 比较 电路 及其 工作 方法
【权利要求书】:

1.一种高精度迟滞比较器电路,包括输入信号VP端子、输入信号VN端子、电源电压VDD端子、输出电压VOUT端子,其特征在于它包括迟滞电压生成单元和比较器单元;其中,所说的迟滞电压生成单元的输入端连接输入信号VN端子、电源电压VDD端子、输出电压VOUT端子和地,其输出端连接比较器单元的负向输入端;所说的比较器单元的正向输入端连接输入信号VP端子,其输出端连接输出电压VOUT端子。

2.根据权利要求1中所述一种高精度迟滞比较器电路,其特征在于所说的迟滞电压生成单元由电阻R1、PMOS开关管M1、NMOS开关管M2、电流源I1、电流阱I2构成;其中,所说的电阻R1一端连接输入信号VN端子,另一端与PMOS开关管M1的漏端、NMOS开关管M2的漏端以及比较器单元的负向输入端连接;所说的电流源I1的输入端与电源电压VDD端子连接,其输出端连接PMOS开关管M1的源极;所说的电流阱I2的输入端连接NMOS开关管M2的源极,其输出端接地;所说的PMOS开关管M1的栅极与NMOS开关管M2的栅极以及比较器单元的输出端连接。

3.根据权利要求1中所述一种高精度迟滞比较器电路,其特征在于所说的比较器单元由比较器COMP构成;其中,所说的比较器COMP的正向输入端连接输入信号VP端子,其负向输入端连接迟滞电压生成单元中PMOS开关管M1的漏极、NMOS开关管M2的漏极及电阻R1的一端,其输出端与输出电压端子VOUT连接。

4.根据权利要求1中所述一种高精度迟滞比较器电路,其特征在于它适用于迟滞比较器电路。

5.一种高精度迟滞比较器电路的工作方法,其特征在于它包括以下步骤:

①输入信号端子VN采集待比较输入信号电压,经过迟滞电压生成单元,产生一个电压信号VNX,VNX受开关管M1与M2的控制,在开关管M1导通、M2截止时,VNX=VN+I1*R1;在开关管M1截止、M2导通时,VNX=VN-I2*R1;

②输入信号端子VP采集输入参考电压,与信号电压VNX经过比较器COMP比较后,输出比较结果VOUT,输出电压VOUT返回去控制开关管M1与M2;

③当VP>VNX时,VOUT输出为高电平,此时M1截止、M2导通,VNX=VN-I2*R1,此时要想使VOUT翻转为低电平,VP需小于VN-I2*R1,即VP比VN小I2*R1,这样就形成了下降时的迟滞电压;当VP<VNX时,VOUT输出为低电平,此时M1导通、M2截止,VNX=VN+I1*R1,此时要想使VOUT翻转为高电平,VP需大于VN+I1*R1,即VP比VN大I1*R1,这样就形成了上升时的迟滞电压;且迟滞电压只受I1*R1及I2*R1影响。

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