[发明专利]模拟光合作用光谱的发光材料及其发光二极管固态光源无效
| 申请号： | 200910228915.7 | 申请日： | 2009-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101717632A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 王达健;毛智勇;马亮;胡文;仇坤;刘艳花;于文惠 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/59 | 分类号： | C09K11/59;H01L33/26 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 模拟 光合作用 光谱 发光 材料 及其 发光二极管 固态 光源 | ||
1.一种模拟光合作用光谱的发光材料，其特征在于：为稀土离子激活的硅酸盐发光材料或氮化物发光材料。
2.按照权利要求1所述的模拟光合作用光谱的发光材料，其特征在于：所述稀土离子激活的硅酸盐发光材料的化学式为Ba3MgSi2O8:Eu，Mn。
3.按照权利要求1所述的模拟光合作用光谱的发光材料，其特征在于：所述稀土离子激活的氮化物发光材料的化学式为Sr2Si5N8:Eu。
4.按照权利要求1、2或3所述的模拟光合作用光谱的发光材料，其特征在于：所述稀土离子激活的硅酸盐发光材料或氮化物发光材料的颗粒大小范围为3微米-10微米、掺杂的Eu，Mn离子均为二价。
5.一种采用所述模拟光合作用光谱的发光材料的发光二极管固态光源，其特征在于：由稀土离子激活的硅酸盐发光材料或氮化物发光材料与单一GaN基半导体芯片采用封装组合方式制成。
6.按照权利要求5所述的发光二极管固态光源，其特征在于：所述稀土离子激活的发光材料为Ba3MgSi2O8:Eu，Mn，单一GaN基半导体芯片的主波长范围为350纳米～400纳米，在该芯片发出的光辐照下，Ba3MgSi2O8:Eu，Mn发光材料同时发出440纳米～460纳米的蓝光和600纳米～650纳米的红光。
7.按照权利要求5所述的发光二极管固态光源，其特征在于：所述稀土离子激活的发光材料为Sr2Si5N8:Eu，单一GaN基半导体芯片的主波长范围为420纳米～460纳米，在该芯片发出的光辐照下，Sr2Si5N8:Eu发光材料发出主波长为660纳米的红光。
8.按照权利要求5所述的发光二极管固态光源，其特征在于：所述封装组合方式为主波长为350纳米～400纳米的单一GaN基芯片与Ba3MgSi2O8:Eu，Mn发光材料组合，主波长为420纳米～460纳米的单一GaN基芯片与Sr2Si5N8:Eu发光材料配合，按照现有工艺封装成发光二极管。
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