[发明专利]一种具有倒置式N电极分布的薄膜GaN基发光器件的制造方法

权利要求书

1.一种具有倒置式N电极分布的薄膜GaN基发光器件的制造方法，包括步骤：

1)在蓝宝石衬底(0001)上依次外延生长N型GaN基半导体层、活性层和P型 GaN基半导体层以构成GaN基LED发光材料；

2)采用干法或湿法蚀刻去除部分区域的P型GaN基半导体层、活性层，裸露 出镓面N型GaN基半导体，露出的区域形成相互连通的第一凹槽；

3)在P型GaN基半导体表面沉积P型欧姆接触电极；

4)在第一凹槽内沉积相互连通的N型欧姆接触条状电极；

5)填充绝缘材料裹住N型欧姆接触电极并与P型欧姆接触电极上表面平齐；

6)在P型欧姆接触电极及绝缘材料上方沉积上焊接金属，包含Au或者Au的 合金；

7)经过上述步骤形成的GaN基外延膜连接到导热基板上；

8)将蓝宝石衬底剥离去除，露出氮面N型GaN半导体；

9)采用于法或湿法蚀刻去除部分区域的N型GaN半导体，裸露出部分N型欧 姆接触条状电极、绝缘材料及剩余厚度的GaN基外延，露出的区域形成第 二凹槽；

10)在第二凹槽内沉积N焊盘金属；

11)在导热基板下表面沉积下电极。

2.如权利要求1所述的一种具有倒置式N电极分布的薄膜GaN基发光器件的制 造方法，其特征在于：GaN基LED发光材料是通过金属有机气相化学沉淀 (MOCVD)方法形成的。

3.如权利要求1所述的一种具有倒置式N电极分布的薄膜GaN基发光器件的制 造方法，其特征在于：N型欧姆接触条状电极以及N焊盘的沉积方式采用蒸 镀或溅射。

4.如权利要求1或3所述的一种具有倒置式N电极分布的薄膜GaN基发光器件 的制造方法，其特征在于：对沉积在第一凹槽内相互连通的N型欧姆接触条 状电极进行高温热退火处理，退火温度500～850℃。

5.如权利要求1所述的一种具有倒置式N电极分布的薄膜GaN基发光器件的制 造方法，其特征在于：GaN基外延膜与导热基板上的连接方式采用晶圆键合、 熔融键合或电镀。

6.如权利要求1所述的一种具有倒置式N电极分布的薄膜GaN基发光器件的制 造方法，其特征在于：蓝宝石衬底的去除方式选用激光剥离、研磨、湿法腐 蚀或前述任意两种的结合。