[发明专利]一种平面化厚隔离介质形成方法

权利要求书

1.一种平面化厚隔离介质形成方法，其特征是该方法包括如下工艺步骤：

一、在硅片表面刻蚀深度为1μm-200μm、宽度为1.0μm-2.0μm、间距为1.2μm-1.8μm的深孔阵列；

二、通过氧化工艺将深孔边缘剩余的硅衬底材料全部氧化，变成二氧化硅；

三、再用CVD隔离介质将深孔覆盖，形成厚隔离介质，所述厚隔离介质的厚度为所述深孔阵列的深度与所述CVD隔离介质厚度之和。

2.根据权利要求1所述的一种平面化厚隔离介质形成方法，其特征是所述的在硅片表面刻蚀深孔阵列，其具体工艺分为：

1)、选择厚度为380μm-560μm，电阻率≤0.003Ω·cm的掺砷硅衬底区，其硅外延层掺磷，电阻率0.5Ω·cm-1000Ω·cm，厚度1μm-200μm；

2)、在920℃-1000℃干氧条件下氧化生长0.06μm-0.1μm二氧化硅；

3)、利用LPCVD工艺在硅衬底表面淀积一层厚度为0.1μm-0.3μm的氮化硅；

4)、在硅衬底表面涂附一层光刻胶，厚度1.0μm-2.5μm，并光刻形成宽度1.0μm-2.0μm，间距1.2μm-1.8μm的刻蚀窗口阵列；利用反应离子刻蚀工艺刻蚀掉窗口内的氮化硅和二氧化硅；利用ICP刻蚀工艺刻蚀窗口内的硅，形成1.0μm-200μm的深孔，最后去掉光刻胶。

3.根据权利要求2所述的一种平面化厚隔离介质形成方法，其特征是所述的通过氧化工艺将深孔边缘剩余的硅衬底材料全部氧化，变成二氧化硅，其具体工艺是：

1)、在1000℃-1150℃湿氧条件下氧化生长0.6μm-1.3μm二氧化硅，并确保刻蚀窗口边缘的硅被全部反应生成二氧化硅；

2)、用磷酸腐蚀去掉硅片表面的氮化硅；用稀氢氟酸腐蚀去掉权利要求2中工艺2)在920℃-1000℃干氧条件下氧化生长0.06μm-0.1μm二氧化硅。

4.根据权利要求1所述的一种平面化厚隔离介质形成方法，其特征是所述的利用CVD隔离介质将深孔覆盖，形成厚隔离介质，其具体工艺是：

1)、利用CVD工艺在硅衬底表面淀积一层二氧化硅或者二氧化硅与氮化硅复合介质，介质总厚度为1.0μm-3.0μm，至此获得平面化厚隔离介质膜；

2)、光刻刻蚀有源区窗口图形，开始芯片后续工艺制作。