[发明专利]一种PIN硅基薄膜太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种PIN硅基薄膜太阳能电池，其特征在于在透明导电玻璃上采用热丝化学气相沉积的方法依次沉积硅基薄膜太阳能电池核心-PIN结的P-层，介电钝化层，I-层和N-层。

2.一种PIN硅基薄膜太阳能电池制备工艺，其特征在于采用热丝化学气相沉积的方法，在透明导电玻璃上依次沉积硅基薄膜太阳能电池核心-PIN结的P-层，介电钝化层，I-层和N-层。

3.根据权利要求2所述的PIN硅基薄膜太阳能电池制备工艺，其特征在于工艺步骤为：

a.以透明导电玻璃为衬底，在其上用热丝化学气相沉积的方法生长P-层，生长工艺如下：流量比：SiH₄∶B₂H₆＝1∶0.01～1∶0.10，稀释比控制在90％～98％，气压控制在1Pa～5Pa，衬底温度为150℃～300℃，热丝温度控制在1800℃～1900℃，衬底与热丝的距离控制在3～8cm，膜厚控制在10～30nm；

b.在P-层上用热丝化学气相沉积的方法生长一层氮化硅或氧化硅的介质材料作为钝化层，该介电钝化层的厚度为2～10nm，以硅烷作为硅源，氨气作为氮源，氧气作为氧源，气压控制在1Pa～10Pa，衬底温度为150℃～300℃，热丝温度控制在1700℃～2000℃，衬底与热丝的距离控制在3～8cm；

c.在钝化层上用热丝化学气相沉积的方法生长I-层，生长工艺具体如下：稀释比控制在90％～98％，气压控制在1Pa～5Pa，衬底温度为150℃～300℃，热丝温度控制在1700～1900℃，衬底与热丝的距离控制在3～8cm，膜厚控制在300～1000nm；

d.用热丝化学气相沉积的方法生长N-层，生长工艺具体如下：流量比：SiH₄∶PH₃＝1∶0.005～1∶0.06，稀释比控制在90％～98％，气压控制在1Pa～5Pa，衬底温度为150℃～300℃，热丝温度控制在1700℃～1900℃，衬底与热丝的距离控制在3～8cm，膜厚控制在10～30nm；

e.用磁控溅射法在N-层上沉积一层厚度为100nm～300nm的透明导电膜；

f.再在透明导电膜上用物理气相沉积法沉积一层600nm～1000nm的金属膜作为上电极。 

4.根据权利要求3所述的PIN硅基薄膜太阳能电池制备工艺，其特征在于：所述的透明导电膜是AZO薄膜或ITO薄膜。

5.根据权利要求3所述的PIN硅基薄膜太阳能电池制备工艺，其特征在于：所述的金属膜是铝金属膜或银金属膜；物理气相沉积法为磁控溅射法或热蒸发法。