[发明专利]一种含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃，其特征在于镀膜玻璃的膜系中含有硅或硅合金膜层，该镀膜玻璃是在玻璃基片上镀有硅或硅合金膜，形成完全截止紫外线的低辐射镀膜玻璃，或完全截止紫外线阳光控制镀膜玻璃，或完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃，

完全截止紫外线的低辐射镀膜玻璃为：玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层-氮化硅膜层，或玻璃-硅或硅合金膜层-氮化硅膜层；

完全截止紫外线阳光控制镀膜玻璃为：玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层-不锈钢膜层-氮化钛膜层-氮化硅膜层，或玻璃-过渡层-不锈钢膜层-氮化钛膜层-硅或硅合金膜层-氮化硅膜层；

完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃为：玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层-镍铬膜层-银膜层-镍铬膜层-氮化硅膜层，或玻璃-过渡层-镍铬膜层-银膜层-镍铬膜层-硅或硅合金膜层-氮化硅膜层，或玻璃-硅或硅合金膜层-透明导电氧化物膜层、或玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层-透明导电氧化物膜层；

利用硅或硅合金膜的截止波长在400nm～550nm的特点，完全截止紫外线。

2.根据权利要求1所述的含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃，其特征在于，所述的过渡层为二氧化锡、或氧化锌、或氧化钛或氮化硅；透明导电氧化物膜层包含铝掺杂氧化锌或铟掺杂二氧化锡。

3.根据权利要求1或2所述的含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃，其特征在于，在玻璃基片上的硅或硅合金膜硅层用的靶材是纯硅靶或掺加了B、P、Al、C或Ge的硅合金靶材。

4.根据权利要求1所述的完全截止紫外线的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，硅或硅合金膜层的厚度为：10～200纳米。

5.一种如权利要求1所述的含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃，其特征在于完全截止紫外线的低辐射镀膜玻璃的制备方法包括如下步骤：

1)对待镀膜玻璃用去离子水进行清洗，干燥；

2)将清洁处理过的玻璃直接送入溅射镀膜设备中，在玻璃基片上用磁控溅射沉积过渡层二氧化锡、氧化锌、氧化钛或氮化硅；用Ar和O₂作为工作气体，工作气压为0.27～0.31Pa，体积比Ar/O₂＝3∶2，沉积二氧化锡，氧化锌，氧化钛薄膜，厚度为20～40nm；用Ar和N₂作为工作气体反应溅射沉积氮化硅薄膜作为过渡层，工作气压为0.27～0.31Pa，其中体积比Ar/N₂＝0.7∶1，沉积薄膜厚度为20～40nm；

3)将预镀了过渡层或直接在清洁处理过的玻璃基片上，用磁控溅射沉积硅或硅合金膜层，用Ar作为工作气体，工作气压为0.30～0.37Pa，薄膜厚度为10～200nm；

4)在硅或硅合金膜层上用磁控溅射方法沉积氮化硅薄膜。用Ar和N₂作为工作气体，工作气压为0.27～0.31Pa，其中体积比Ar/N₂＝3∶2，薄膜厚度为7～15nm。