[发明专利]提高像素电极电压准确性的方法和阵列基板无效

专利信息
申请号: 200910235329.5 申请日: 2009-09-30
公开(公告)号: CN102034443A 公开(公告)日: 2011-04-27
发明(设计)人: 王洁琼 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 提高 像素 电极 电压 准确性 方法 阵列
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种提高像素电极电压准确性的方法和阵列基板。

背景技术

在阵列基板上,栅线和数据线之间限定的区域形成像素区域。如图1所示,在栅线N、栅线N+1、数据线M和数据线M+1限定的像素区域中设有薄膜晶体管(TFT)1和像素电极2,薄膜晶体管1的栅极与栅线N连接,源极与数据线M连接,漏极与像素电极2连接。像素电极2和公共电极3相对,且在像素电极2和公共电极3之间形成有并联的存储电容Cst、和像素电容Clc

工作时,栅线和数据线分别受栅极驱动和源极驱动的控制,其中在栅极驱动信号的控制下,栅极依次打开,对应行的数据电压由源极驱动送至对应的像素电极2上,并对像素电极2进行充电,由此形成显示各个灰阶所需要的灰度电压,进而显示每一帧画面。

但是在阵列基板的结构中,薄膜晶体管1的栅极与像素电极2的部分区域相对,这样在栅线N从打开到关断的状态转变过程中,就会在薄膜晶体管1的栅极与像素电极2之间产生寄生电容Cgd。在栅极从打开电压Vgh变化到关断电压Vgl的时刻,该寄生电容Cgd使得聚集在像素电极2上的电荷发生变化,从而如图2所示,使像素电极2的电压Vdata(即薄膜晶体管1的漏极电压)变动ΔVp

这样,由于所述像素电极电压Vdata的变化,导致像素内液晶分子的偏转角度发生变动,从而导致灰度透过率变化,因此图像的灰度显示不准确;并且由于所述像素电极的电压Vdata在相邻帧之间正负极性是交替变化的,即当像素电极的电压Vdata为正极性时,像素电极的电压Vdata向靠近公共电极电压Vcom的方向变化,而当像素电极的电压为负极性时,像素电极的电压Vdata向背离公共电极电压Vcom的方向变化。从而导致画面闪烁,图像显示品质下降。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种提高像素电极电压准确性的方法,以提高像素电极电压的准确性。

为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:

一种提高像素电极电压准确性的方法,包括:

为像素电极电压提供补偿电压,所述补偿电压能够抵消像素电极上发生变化的电压。

本发明提供的提高像素电极电压准确性的方法,能够为像素电极电压提供补偿电压,所述补偿电压能够抵消像素电极电压发生变化的电压,因此当像素电极电压在与该像素电极相连的薄膜晶体管从打开到关断状态下发生变化时,所述补偿电压在一定程度上抵消了这部分发生变化的电压,从而使像素电极电压的变化程度减小,甚至使像素电极电压不发生变化,从而提高像素电极电压的准确性,降低显示面板的闪烁,有效地改善画面品质。

本发明所要解决的另一个技术问题在于提供一种阵列基板,能够提高像素电极电压的准确性。

为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:

一种阵列基板,包括基板,在所述基板上设有栅线,垂直于所述栅线设有数据线,所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域,所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极,所述薄膜晶体管的栅极和所述栅线连接,源极和所述数据线连接,漏极和所述像素电极连接,在所述基板上且在所述栅线的边缘设有像素电极电压补偿电路,所述像素电极电压补偿电路用于为像素电极电压提供补偿电压,所述补偿电压能够抵消像素电极上发生变化的电压。

本发明提供的阵列基板,由于设有像素电极电压补偿电路,且所述像素电极电压补偿电路用于为像素电极电压提供补偿电压,所述补偿电压能够抵消像素电极电压发生变化的电压,因此当像素电极电压在所述薄膜晶体管从打开到关断状态下发生变化时,所述补偿电压在一定程度上抵消这部分发生变化的电压,从而使像素电极电压的变化程度减小,甚至使像素电极电压不发生变化,从而提高像素电极电压的准确性,降低显示面板的闪烁,有效地改善画面品质。

附图说明

图1为现有技术中像素驱动电路的示意图;

图2为现有技术中像素电极电压状态示意图;

图3为本发明阵列基板实施例的电路原理示意图;

图4为本发明阵列基板实施例中像素电极电压状态示意图;

图5为本发明阵列基板实施例的示意图。

附图标记:

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