[发明专利]以硅基材料为介质层的低辐射玻璃

权利要求书

1.低辐射玻璃，具有单银层结构，其基本结构中，由下而上依次包括玻璃基底10、第1介质层11、银层12、第2介质层13，其特征在于：所述的每个介质层都由若干个子层构成，子层的数目在1到5之间选择；每个子层由组分渐变的硅氧薄膜、硅氮薄膜或硅氧氮薄膜构成；每个子层中，以该子层的中心平面为对称平面，硅组分和折射率在该平面的上下两侧成对称分布，硅组分和折射率最高的部位位于该子层的中心平面，硅组分和折射率最低的部位位于该子层最外侧的两个平面。

2.低辐射玻璃，具有双银结构，其基本结构中，由下而上依次包括玻璃基底20、第1介质层21、第1银层22、第2介质层23、第2银层24、第3介质层25，其特征在于：所述的每个介质层都由若干个子层构成，子层的数目在1到5之间选择；每个子层由组分渐变的硅氧薄膜、硅氮薄膜或硅氧氮薄膜构成；每个子层中，以该子层的中心平面为对称平面，硅组分和折射率在该平面的上下两侧成对称分布，硅组分和折射率最高的部位位于该子层的中心平面，硅组分和折射率最低的部位位于该子层最外侧的两个平面。

3.根据权利要求1和2所述的低辐射玻璃，其特征在于：在介质层和银层之间增加附着力强化层，该层采用铝、钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、镍、不锈钢等金属或合金薄膜中的一种，其厚度小于3纳米。

4.根据权利要求1和2所述的低辐射玻璃，其特征在于：在介质层和银层之间增加附着力强化层，这层采用氮化铝、氮化钛、氮化锆、氮化铪、氮化钒、氮化铌、氮化钽、氧化钛、氧化锆、氧化铪、氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化锌、氧化锡、氧化铟、氧化铟锡等薄膜中的一种，其厚小于10纳米。