[发明专利]一种静电卡盘及其残余电荷的消除方法有效
申请号: | 200910235680.4 | 申请日: | 2009-10-12 |
公开(公告)号: | CN102044466A | 公开(公告)日: | 2011-05-04 |
发明(设计)人: | 张宝辉 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张天舒;陈源 |
地址: | 100016 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 静电 卡盘 及其 残余 电荷 消除 方法 | ||
1.一种静电卡盘,包括基座和设置于所述基座内部的电极,其特征在于,该静电卡盘还包括电荷释放单元,所述电极可选择地与设置在静电卡盘外部的电源连接或者与所述电荷释放单元连接,以在加工工艺过程中连接所述电源而获得电能;并在电荷释放过程中,连接所述电荷释放单元以释放掉所述电极上的残余电荷,进而去除该静电卡盘所承载的加工工件上的残余电荷。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述电荷释放单元为接地电路,在电荷释放过程中,所述电极与所述接地电路连通构成电荷释放通路。
3.根据权利要求1所述的静电卡盘,其特征在于,所述电极为双电极,每一个电极均可选择地连接所述电源或对应的电荷释放单元。
4.根据权利要求3所述的静电卡盘,其特征在于,所述电荷释放单元包括电阻,在电荷释放过程中,所述电阻在所述两个电极之间电连通而构成电荷释放回路。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的静电卡盘,其特征在于,在所述电极与电源和电荷释放单元之间设置选择开关,所述电极连接所述选择开关的动触头,所述电源和电荷释放单元各自独立连接有所述选择开关的静触头,借助于所述动触头选择性地连通所述静触头而使所述电极可选择地连接所述电源或电荷释放单元。
6.一种静电卡盘残余电荷的消除方法,其特征在于,所述静电卡盘包括基座、电荷释放单元以及设置于所述基座内部的电极,所述方法包括下述步骤:
1)在加工工艺过程中,将工件放置在基座上,并使电极接通电源,借助于所述电极和工件之间的静电引力而将工件吸附在静电卡盘上并实施加工工艺;
2)加工工艺完成后,对所述电极施加与步骤1)所施加的电压极性相反的反向电压,以中和所述电极和工件在工艺过程中所产生的电荷;
3)切断所述电极与电源之间的连接,并使电极连接电荷释放单元,以释放掉所述电极上的残余电荷,进而去除该静电卡盘所承载的工件上的残余电荷。
7.根据权利要求6所述的静电卡盘残余电荷的消除方法,其特征在于,所述步骤2)中所施加的反向电压为500V~2000V,并且施加时间为2s~6s。
8.根据权利要求6所述的静电卡盘残余电荷的消除方法,其特征在于,所述电荷释放单元为接地电路,在所述步骤3)中,将所述电极与所述接地电路连通构成电荷释放通路,以释放掉所述电极上的残余电荷。
9.根据权利要求6所述的静电卡盘残余电荷的消除方法,其特征在于,所述电极为双电极,所述电荷释放单元包括电阻,在所述步骤3)中,使所述电阻在所述两个电极之间电连通而构成电荷释放回路,以释放掉所述电极上的残余电荷。
10.根据权利要求9所述的静电卡盘残余电荷的消除方法,其特征在于,所述电阻的阻值为5000Ω~10MΩ。
11.根据权利要求6所述的静电卡盘残余电荷的消除方法,其特征在于,在所述步骤3)中,所述电极与所述电荷释放电路的连通时间为0.5s~10s。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造